高分子無泄露自粘鋁箔及制作方法
【專利說明】高分子無泄露自粘鋁箔及制作方法
[0001]
技術(shù)領(lǐng)域
[0002]本發(fā)明涉及一種既具有良好的耐折性、耐疲勞性，又具有強度高、屏蔽好、無回波損耗，同時具有高可靠性自粘強度的高分子無泄露自粘鋁箔及制作方法，屬通信輔助材料制造領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0003]本申請人所有在先專利CN201489850U、名稱“高強度雙面自粘鋁箔”，它包括鋁箔，其特征是:鋁箔兩面與PET膜之間分別置有一層粘接膠層，PET膜(1)面上置有自粘膜。其需要提高的是:一般的鋁箔在生產(chǎn)過程中，由于鋁錠的純度不足或含有雜質(zhì)，乳輥的表面光澤度等因素而造成所乳鋁箔含有微孔等缺陷，這些缺陷直接導致所包裹電纜通信信號衰減、回波損耗增大。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]設(shè)計目的:避免【背景技術(shù)】中的不足，設(shè)計一種既具有良好的耐折性、耐疲勞性，又具有強度高、屏蔽好、無回波損耗，同時具有高可靠性自粘強度的高分子無泄露自粘鋁箔及制作方法。
[0005]設(shè)計方案:為實現(xiàn)上述設(shè)計目的。1、鋁箔一面采用粘膠劑與PET膜復合的設(shè)計，是本發(fā)明的技術(shù)特征之一。這樣設(shè)計的目的在于:PET是乳白色或淺黃色、高度結(jié)晶的聚合物，表面平滑有光澤。在較寬的溫度范圍內(nèi)具有優(yōu)良的物理機械性能，長期使用溫度可達120°C，電絕緣性優(yōu)良，甚至既使在高溫高頻下，其電性能仍較好，并且抗蠕變性，耐疲勞性，耐摩擦性、尺寸穩(wěn)定性都很好，沖擊強度是其他薄膜的3?5倍，耐折性好。本發(fā)明將其置于鋁箔一面，從根本上改善了鋁箔的耐折性和強度。2、鋁箔的一面或雙面氣隙采用納米鋁填充的設(shè)計，是本發(fā)明的技術(shù)特征之二。這樣設(shè)計的目的在于:納米鋁的平均粒徑為55nm，而鋁箔乳制過程中所產(chǎn)生的孔隙及縫隙往往大于55nm，因而它能將鋁箔乳制過程中所產(chǎn)生的通透或不通透的孔隙、縫隙徹底填充且不增加鋁箔本身的厚度，使鋁箔的屏蔽性得到了根本性的提高，避免了回波損耗現(xiàn)象的發(fā)生。3、采用改性PE的目的在于:它可以強力粘合線纜外護套，在外部高空作業(yè)或狹小空間作業(yè)的施工環(huán)境下，剝線鉗剪斷外護套PE或PVC塑料的同時，由于改性PE在電纜最后一道工序(成纜)，鋁箔對外護套塑料的強力附著力粘合，故鋁箔同時脫落，加快施工進度和提高施工人員安全性。
[0006]技術(shù)方案1:一種高分子無泄露自粘鋁箔，PET膜采用膠粘劑與鋁箔一面復合，鋁箔的另一面涂有一層改性PE膠層。
[0007]技術(shù)方案2: 一種高分子無泄露自粘鋁箔制備方法，1)將鋁箔的一面或二面分別采用同屬性的納米鋁進行填充處理，使鋁箔面無通透氣隙；2)然后將PET膜采用粘膠劑復合在鋁箔一面;3)將改性PE膠涂履在鋁箔的非復合面、烘干得改性PE膜。
[0008]本發(fā)明與【背景技術(shù)】相比，一是耐折、耐疲勞、強度高，是【背景技術(shù)】的數(shù)倍;二是包裹自粘接性能好，其粘接后所形成的剝離強度是【背景技術(shù)】的數(shù)倍;三是鋁箔面氣隙采用同屬性納米鋁填充，不僅大大地提高了鋁箔的密實度，而且實現(xiàn)了用低檔次鋁箔制作精品高分子無泄露自粘鋁箔的目的，從而極大地降低了對鋁箔乳制精度的要求，降低了鋁箔制造成本；四是不僅絕緣強度高、屏蔽效果好、避免了回波損耗現(xiàn)象的發(fā)生，而且具有優(yōu)秀的拉伸強度。
【附圖說明】
[0009]圖1是高分子無泄露自粘鋁箔的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0010]圖2是鋁箔孔隙、縫隙填充生產(chǎn)線的示意圖。
【具體實施方式】
[0011]實施例1:參照附圖1和圖2。一種高分子無泄露自粘鋁箔，PET膜1采用膠粘劑2與鋁箔3—面復合，鋁箔3的另一面涂有一層改性PE膠層4。鋁箔3的面為無通透氣隙面。鋁箔3的一面或雙面的氣隙被納米鋁填充。氣隙是指微小孔和縫隙，即鋁箔乳制過程中其本身由于雜質(zhì)及乳輥本身所導致的微小透孔、縫隙被納米鋁填充，從而使得鋁箔的密實度得到了進上步提尚Ο
[0012]其鋁箔面氣隙填充生產(chǎn)線，包括PLC控制器06，放卷輥08和收卷輥01間依據(jù)設(shè)有鋁箔氣隙檢測裝置07、納米鋁噴涂裝置05及納米鋁碾壓成型裝置03;鋁箔氣隙檢測裝置07光電信號輸出端接PLC控制器06的信號輸入端，PLC控制器06的信號輸出端一路接納米鋁噴涂裝置05的信號輸入端，一路接伺服電機的信號輸入端，伺服電機驅(qū)動收卷輥01傳動。鋁箔氣隙檢測裝置07由暗箱、發(fā)光源及光敏傳感器06構(gòu)成;暗箱開有鋁箔進出口，發(fā)光源位于暗箱內(nèi)下部且位于鋁箔下方，光敏傳感器06位于暗箱內(nèi)上部且光敏傳感器06信號輸出端接PLC控制器的信號輸入端。納米鋁噴涂裝置05由納米鋁存儲箱、納米鋁噴涂噴嘴及納米噴涂封閉箱構(gòu)成；納米噴涂封閉箱開有鋁箔進出口，納米鋁噴涂噴嘴直對鋁箔面且納米鋁噴涂噴嘴的工作與否受控于PLC控制器。納米鋁碾壓成型裝置03由封閉箱、對輥碾壓輥04和凈面刷02構(gòu)成;對輥碾壓輥04分布在封閉箱內(nèi)鋁箔進口部且對輥碾壓輥04由伺服電機驅(qū)動轉(zhuǎn)動，伺服電機的工作與否受控于PLC控制器，凈面刷02分布在封閉箱內(nèi)對輥碾壓輥04出口一側(cè)。對輥碾壓輥04中兩輥之間的間隙可調(diào)，即通過調(diào)節(jié)對輥碾壓輥04中的上輥的升或降即可達到調(diào)節(jié)對輥之間間隙大小的目的。納米鋁碾壓成型裝置03中封閉箱底部開有排泄口且排泄口采用螺蓋09旋接密封。
[0013]其鋁箔面氣隙填充生產(chǎn)線的填充方法，工作時PLC控制器06指令伺服電機驅(qū)動收卷輥01和納米鋁碾壓成型裝置03中的對輥碾壓輥04轉(zhuǎn)動，被檢測鋁箔在收卷輥01的牽引下由放卷輥08進入鋁箔氣隙檢測裝置07的暗箱內(nèi)，當被檢測的鋁箔面透光時，位于暗箱內(nèi)的光敏傳感器06被觸發(fā)將檢測到的鋁箔氣隙的位置信號傳遞到PLC控制器，當有氣隙的鋁箔在通過納米鋁噴涂裝置05中的納米鋁噴涂噴嘴瞬間，PLC控制器指令納米鋁噴涂裝置05納米鋁噴涂噴嘴將納米鋁噴向鋁箔面的氣隙部，被噴涂納米鋁的鋁箔在通過納米鋁碾壓成型裝置03中的對輥碾壓輥04時，其納米鋁被對輥碾壓輥壓實后，經(jīng)過凈面刷02將鋁箔面多余的納米鋁清除(凈面刷02的刷頭為毛刷頭，或絨刷頭，或布刷頭)，最后被收卷輥01收卷。
[0014]實施例2:在實施例1的基礎(chǔ)上，一種高分子無泄露自粘鋁箔制備方法，1)將鋁箔3的一面或二面分別采用同屬性的納米鋁進行填充處理，使鋁箔面無通透氣隙；2)然后將PET膜1采用粘膠劑2復合在鋁箔3—面;3)將改性PE膠涂履在鋁箔3的非復合面、烘干得改性PE膜。
[0015]需要理解到的是:上述實施例雖然對本發(fā)明的設(shè)計思路作了比較詳細的文字描述，但是這些文字描述，只是對本發(fā)明設(shè)計思路的簡單文字描述，而不是對本發(fā)明設(shè)計思路的限制，任何不超出本發(fā)明設(shè)計思路的組合、增加或修改，均落入本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種高分子無泄露自粘鋁箔，其特征是:PET膜(1)采用膠粘劑(2)與鋁箔(3)—面復合，鋁箔(3 )的另一面涂有一層改性PE膠層(4 )。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高分子無泄露自粘鋁箔，其特征是:鋁箔(3)的面為無通透氣隙面。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高分子無泄露自粘鋁箔，其特征是:鋁箔(3)的一面或雙面的氣隙被納米鋁填充。4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的高分子無泄露自粘鋁箔，其特征是:氣隙是指微小孔和縫隙。5.—種高分子無泄露自粘鋁箔制備方法，其特征是:1)將鋁箔(3)的一面或二面分別采用同屬性的納米鋁進行填充處理，使鋁箔面無通透氣隙；2)然后將PET膜(1)采用粘膠劑(2)復合在鋁箔(3 )—面;3 )將改性PE膠涂履在鋁箔(3 )的非復合面、烘干得改性PE膜。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種既具有良好的耐折性、耐疲勞性，又具有強度高、屏蔽好、無回波損耗，同時具有高可靠性自粘強度的高分子無泄露自粘鋁箔及制作方法，PET膜采用膠粘劑與鋁箔一面復合，鋁箔的另一面涂有一層改性PE膠層。優(yōu)點：一是耐折、耐疲勞、強度高，是【背景技術(shù)】的數(shù)倍；二是包裹自粘接性能好，其粘接后所形成的剝離強度是【背景技術(shù)】的數(shù)倍；三是鋁箔面氣隙采用同屬性納米鋁填充，不僅大大地提高了鋁箔的密實度，而且實現(xiàn)了用低檔次鋁箔制作精品高分子無泄露自粘鋁箔的目的，從而極大地降低了對鋁箔軋制精度的要求，降低了鋁箔制造成本；四是不僅絕緣強度高、屏蔽效果好、避免了回波損耗現(xiàn)象的發(fā)生，而且具有優(yōu)秀的拉伸強度。
【IPC分類】B32B37/12, B32B7/12, B32B15/09, B32B15/20
【公開號】CN105479853
【申請?zhí)枴緾N201610000113
【發(fā)明人】沈國忠
【申請人】杭州巨力絕緣材料有限公司
【公開日】2016年4月13日
【申請日】2016年1月1日