隔熱隔音墊的制作方法

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隔熱隔音墊的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及包含一個或多個隔離墊的一種隔離系統，其中每個所述多層隔離墊包括：?由隔離材料[材料(I)]組成的芯，以及?包封所述芯的殼，所述殼包括至少一個多層組件，該至少一個多層組件包括：(1)由組合物[組合物(C1)]組成的外層[層(L1)]，該組合物包含以下項、優(yōu)選地由以下項組成：至少一種具有按體積計至少20％的極限氧指數(LOI)的熱塑性聚合物[聚合物(1)]，其中所述層(L1)的至少一個表面、優(yōu)選地該內表面包括一種或多種接枝的官能團[表面(L1?f)]，(2)直接粘附到所述至少一個表面(L1?f)上的由至少一種金屬化合物(M1)組成的層[層(L2)]，以及(3)任選地，直接粘附到該層(L2)的相反側上的由至少一種金屬化合物(M2)組成的層[層(L3)]，所述金屬化合物(M2)與所述金屬化合物(M1)相同或不同。本發(fā)明還涉及一種用于制造所述隔離系統的方法并且涉及所述隔離系統在包括飛機應用的多種應用中的用途。
【專利說明】
隔熱隔音墊
[0001 ]本申請要求在2013年12月23日提交的歐洲申請?zhí)?3199363.6的優(yōu)先權，出于所有的目的將此申請的全部內容通過引用結合在此。
技術領域
[0002] 本發(fā)明設及包含一個或多個隔離墊的一種隔離系統并且設及其在包括飛機應用的多種應用中的用途。
【背景技術】
[0003] 隔熱隔音墊被廣泛用于包括飛機應用的多種應用中W便提供隔熱和聲阻尼。
[0004] 適用于在飛機隔離系統中使用的隔離墊典型地被放置在飛機機身蒙皮壁板與飛機內側壁板之間的腔中。運些隔離墊典型地是包含一個或多個防火層的多層組件，該一個或多個防火層對該隔離墊提供火焰蔓延阻礙，W便在火災如地面燃料火災或碰撞后火災發(fā) 生的情況下保護飛機的乘客。
[0005] 火穿透飛機機身所用的時間越長，在被來自該火的煙霧或熱熏倒之前，飛機乘客可W擁有更多的時間來撤離該飛機。
[0006] 根據在14C.F.R.章，第25部分，25.856(a) ,25.856(b)和附錄F的第νπ部分中包含的規(guī)定，美國聯邦航空管理局(FAA)要求隔熱隔音墊W在飛機的某些區(qū)域中提供改進的燒穿保護和火焰?zhèn)鞑ツ褪苄浴?br>[0007] 已知的隔熱隔音墊通常被包封在膜覆蓋物或袋中。FAA燒穿規(guī)定主要影響運些隔離系統袋的內容物，而FAA火焰?zhèn)鞑ツ褪苄砸?guī)定主要影響用來制造運些袋子的膜覆蓋物。 [000引在現有技術隔離墊的缺陷中的是，取決于構建的材料，運些墊在福射熱源下暴露于火焰時可能有助于火的傳播。
[0009]運些膜覆蓋物由此典型地包含阻隔外層，該外層進一步最小化吸濕并且因此由于在服務期間的水截留的隔離墊的重量增加。
[0010] 例如，US 2013/0092321(尤尼弗瑞克斯I有限責任公司（UNIFRAX I UX);拉馬特公司（LAMART CORPORATION) )18.04.2013描述了阻火層壓制件，其中可W將第一聚合物耐火焰?zhèn)鞑ツそ饘倩疻最小化吸濕性，特別在外側上、但是任選地還在內側上的吸濕性。
[0011] 由此，在本領域對于提供對于氣體的更低的透過性W及改進的火焰蔓延耐受性的適用于在飛機機身隔離系統中使用的持久的、耐熱和聲的墊仍存在需求。發(fā)明概述
[0012] 現在已經出人意料地發(fā)現通過本發(fā)明的方法、特別是通過在蝕刻氣體的存在下經由射頻輝光放電方法處理聚合物層、隨后在其上沉積金屬層，提供了隔離系統，該隔離系統具有增強的層間附著特性和對于氣體如水蒸氣的更低的透過性，由此有利地提供飛機蒙皮的改進的抗腐蝕性W及飛機的改進的燃料效率和額定載重量。
[0013] 還已經發(fā)現，通過適當地選擇該聚合物外層的材料，由此提供的隔離系統成功地具有出色的火焰蔓延耐受性和良好的機械特性并且有利地是抗斷裂性，同時長期維持出色的柔性。
[0014] 在第一方面，本發(fā)明設及包含一個或多個隔離墊的一種隔離系統，其中每個所述多層隔離墊包括： -由隔離材料[材料(I)]組成的忍，W及 -包封所述忍的殼，所述殼包括至少一個多層組件，該至少一個多層組件包括： (1) 由組合物[組合物(C1)]組成的外層[層化1)]，該組合物包含W下項、優(yōu)選地由W下項組成：至少一種具有按體積計至少20%的極限氧指數化01)的熱塑性聚合物[聚合物 (1)]，其中所述層化1)的至少一個表面、優(yōu)選地該內表面包括一種或多種接枝的官能團[表面化1-f)]， (2) 直接粘附到所述至少一個表面化1-f)上的由至少一種金屬化合物(Ml)組成的層 [層化2)]，W及 (3) 任選地，直接粘附到該層化2)的相反側上的由至少一種金屬化合物(M2)組成的層 [層化3)]，所述金屬化合物(M2)與所述金屬化合物(Ml)相同或不同。
[0015] 在第二方面，本發(fā)明設及一種用于制造包含一個或多個隔離墊的隔離系統的方法，所述方法包括W下步驟： (A) 提供包括多層組件的殼，所述多層組件是通過W下步驟可獲得的： (A-i)提供由組合物[組合物(C1)]組成的層[層化1)]，該組合物包含W下項、優(yōu)選地由 W下項組成:至少一種具有按體積計至少20%的極限氧指數化01)的熱塑性聚合物[聚合物 (1)]， (A-ii)在蝕刻氣體介質的存在下通過射頻輝光放電方法處理所述層化1)的至少一個表面、優(yōu)選地內表面， (A-iii)通過無電沉積將由至少一種金屬化合物(Ml)組成的層[層化2)]涂覆到如在步驟(A-ii)中提供的該層化1)的所述至少一個經處理的表面上，W及 (A-iv)任選地，通過電沉積將由至少一種金屬化合物(M2)組成的層[層化3)]涂覆到如在步驟(A-iii)中提供的該層化2)的相反側上，所述金屬化合物(M2)與所述金屬化合物 (Ml)相同或不同； (B) 提供由隔離材料[材料(I)]組成的忍;并且 (C) 由該殼包封所述忍。
[0016] 本發(fā)明的隔離系統是有利地通過本發(fā)明的方法可獲得的。
[0017]該層(山有利地是該殼的外層。
[0018] 在第Ξ方面，本發(fā)明設及本發(fā)明的隔離系統在多種應用中的用途。本發(fā)明的隔離系統適合用于飛機，運輸工具如賽車、汽車、火車和公共汽車，航天器如航天飛機和火箭，防護服如消防員的戰(zhàn)斗服上衣和其他裝置，在焊接應用或金屬加工工業(yè)中穿戴的防護服裝如手套、圍裙和鞋罩，鑄錠模，由水手或軍事救援人員穿著的救生衣，隔離墊料，睡袋，管道隔離，用于爐、烘箱和鍋爐的口密封件，W及電線或電纜的熱保護。
[0019] 本發(fā)明的隔離系統特別適合用于飛機應用中。
[0020] 根據本發(fā)明的實施例，本發(fā)明的隔離系統典型地進一步包括： (4) 直接粘附到或者層化2)或者層化3)，如果有的話，的相反側上、由無機材料[材料 (IN)]組成的層[層化4)]， (5) 任選地，直接粘附到層化4)的相反側上的粘合劑層[層化5)]，W及 (6) 任選地，直接粘附到層化5)的相反側上的由一種或多種纖維組成的層[層化6)]，該一種或多種纖維由熱塑性聚合物[聚合物(2)]組成，所述聚合物(2)與所述聚合物（1)相同或不同。
[0021] 根據本發(fā)明的此實施例的隔離系統典型地是通過進一步包括W下步驟的本發(fā)明的方法可獲得的： (A) 提供包括多層組件的殼，所述多層組件是通過W下步驟可獲得的： (A-V)將層化4)涂覆到在步驟(A-iv)中提供的多層組件的或者層化2)或者層化3)(如果有的話)的相反側上， (A-vi)任選地，將層化5)涂覆到層化4)的相反側上，并且 (A-vii)任選地，將層化6)涂覆到層化5)的相反側上； (B) 提供由隔離材料[材料(I)]組成的忍;并且 (C) 由該殼包封所述忍。
[0022] 該層化1)有利地是該殼的外層。
[0023] 出于本發(fā)明的目的，術語"熱塑性塑料"應理解為指的是W下的聚合物組合物，該聚合物組合物在室溫下（低于其玻璃化轉變溫度，如果它是無定形的，或者低于其烙點，如果它是半晶質的）存在，并且它是直鏈的或支鏈的（即不是網狀的）。當運種聚合物組合物被加熱時它具有變軟的特性，并且當它被冷卻時具有再次變硬的特性，而沒有明顯的化學變化。運樣一種定義例如可在稱為"聚合物科學詞典(Polymer Science Dictionary)"，Mark S.Μ.Alger,倫敦聚合物工藝學院(Xondon School of Polymer Technology),北倫敦理工大學（Pol}ftechnic of North London)，UK，由愛思唯爾應用科學化Isevier Applied Science)出版，1989,的百科全書中找到。
[0024] 該聚合物（1)有利地具有按體積計至少25%、優(yōu)選地至少30%的極限氧指數 (L0I)。
[0025] 出于本發(fā)明的目的，通過"極限氧指數LOr，它旨在表示支持豎直放置的條帶樣品朝下燃燒的在空氣混合物中所需要的氧氣的最小濃度。高氧濃度要求表明樣品的更好的阻燃性。
[0026] 極限氧指數(L0I)可W根據任何適合的技術來測量。
[0027] 極限氧指數(L0I)典型地根據ASTM D2863標準程序來測量。
[0028] 不特別限制該層化1)的厚度;然而，應理解的是，層化1)將典型地具有至少3μπι、優(yōu) 選地至少扣m的厚度。具有小于3WI1厚度的層化1)，盡管仍然適用于本發(fā)明的隔離系統，但當要求足夠的機械阻力時將不被使用。
[0029] 按照該層化1)的厚度的上限，運沒有特別限制，其條件是所述層化1)仍可W提供特定領域的目標用途所要求的柔性。該層化1)將典型地具有最多20μπι、優(yōu)選地最多15WI1的厚度。
[0030] 本領域的技術人員，取決于該聚合物（1)的性質，將選擇該層化1)的適當厚度W便提供所要求的透過性和柔性。
[0031] 聚合物（1)優(yōu)選地選自由W下各項組成的組： -具有按體積計至少30%的極限氧指數化01)的氣聚合物[聚合物(F)]，W及 -具有按體積計至少30%的極限氧指數化ΟΙ)的聚(芳基酸酬）[聚合物(PAEK)]。
[0032] 術語"氣聚合物[聚合物(F)T'應理解為是指包含衍生自至少一種氣化單體的重復單元的氣聚合物。
[0033] 通過術語"氣化單體"，它在此旨在表示包含至少一個氣原子的締鍵式不飽和單體。
[0034] 術語"至少一種氣化單體"應理解為是指聚合物(F)可W包含衍生自一種或多于一種氣化單體的重復單元。在本文的其余部分，表述"氣化單體"出于本發(fā)明的目的應理解為是復數和單數形式均可，即它們表示一種或多于一種如W上定義的氣化單體二者。
[0035] 值得注意地，合適的氣化單體的非限制性實例包括W下各項： -C3-C8全氣締控，比如四氣乙締(町?)和六氣丙締化FP); -C2-C8氨化的氣締巧，比如偏二氣乙締（VDF)、氣乙締、1,2-二氣乙締 W及二氣乙締 (化陽）； -具有式C出二CH-Rf 0的全氣烷基乙締，其中Rf 0是Ci-Cs全氣烷基； -氯代-和/或漠代-和/或艦代-C2-C6氣締控，如Ξ氣氯乙締(CT陽）； -具有式CF2 = CFORf 1的（全)氣烷基乙締基酸，其中Rf 1是Ci-Cs氣代-或全氣烷基，例如 CF3X2F5X3F7; -CF2 = CFOXo (全)氣-氧烷基乙締基酸，其中Xo是Ci-Ci2烷基、Ci-Ci2氧烷基或包含一個或多個酸基的Ci-Ci2 (全)氣氧烷基，如全氣-2-丙氧基-丙基； -具有式CF2 = CFOCFsORf 2的（全)氣烷基乙締基酸，其中Rf 2是Ci-Cs氣代-或全氣烷基，例如C的、C2F5、C3F7，或包含一個或多個酸基的Ci-Cs (全)氣氧烷基，如-C2F5-O-C的； -具有式CF2 = CF0機的官能的（全)氣代-氧烷基乙締基酸，其中Υο是Ci-Ci2烷基或(全)氣烷基、Ci-Ci2氧烷基或包含一個或多個酸基的Ci-Ci2(全)氣氧烷基，并且Υο包含簇酸或橫酸基團，呈其酸、酷基面或鹽的形式； -氣間二氧雜環(huán)戊締，優(yōu)選全氣間二氧雜環(huán)戊締；W及 -具有式CR7l?8 = CR9〇CRl〇Rll(CRl2Rl3)a(0)bCRl4 = CRl5Rl6的可環(huán)化聚合單體，其中R?至 Ri6，彼此獨立，各自選自-F和C廣C3氣烷基，a是0或1，b是0或1，其條件是當a是1時b是0。
[0036] 該聚合物(F)可W進一步包含至少一種氨化單體。
[0037] 通過術語"氨化單體"，它在此旨在表示包含至少一個氨原子并且不含氣原子的締鍵式不飽和單體。
[0038] 術語"至少一種氨化單體"應理解為是指該聚合物(F)可W包含衍生自一種或多于一種氨化單體的重復單元。在本文的其余部分，表述"氨化單體"出于本發(fā)明的目的應理解為是復數和單數形式均可，即它們表示一種或多于一種如W上定義的氨化單體二者。
[0039] 值得注意地，適合的氨化單體的非限制性實例包括，非氣化單體如乙締、丙締，乙締基單體如乙酸乙締醋，（甲基)丙締酸單體W及苯乙締單體如苯乙締和對-甲基苯乙締。
[0040] 該聚合物(F)可W是半晶質的或無定形的。
[0041 ] 術語"半晶質的"在此旨在表示具有，如根據ASTM D3418-08測量的，從lOJ/g至 90J/g、優(yōu)選地從30J/g至60J/g、更優(yōu)選地從35J/g至55J/g的烙解熱的聚合物(F)。
[0042]術語"無定形的"在此旨在表示具有，如根據ASTM D-3418-08測量的，小于5J/g、優(yōu) 選小于3J/g、更優(yōu)選小于2J/g的烙解熱的聚合物(F)。
[0043] 該聚合物(F)典型地選自由W下各項組成的組： -聚合物(F-1)，包含衍生自至少一種選自四氣乙締(TFE)和Ξ氣氯乙締(CTFE)的氣化單體、W及至少一種選自乙締、丙締 W及異下締的氨化單體的重復單元，任選地含有一種或多種額外的共聚單體，該一種或多種額外的共聚單體的量典型地為基于TFE和/或CTFEW及所述一種或多種氨化單體的總量的按摩爾計從0.01%至30%; -聚合物(F-2)，包含衍生自偏二氣乙締(VDF)W及任選地一種或多種不同于VDF的氣化單體的重復單元； -聚合物(F-3)，包含衍生自四氣乙締(TFE)和至少一種不同于TFE的選自由W下各項組成的組的氣化單體的重復單元： -具有式CF2 = CF0Rfi'的全氣烷基乙締基酸，其中Rfi'是Ci-Cs全氣烷基； -具有式CF2 = CFOXo的全氣-氧烷基乙締基酸，其中Xo是包含一個或多個酸基團的C廣Ci2 全氣氧烷基，如全氣-2-丙氧基-丙基； -C3-C8全氣締控，例如六氣丙締化FP); W及 -具有式(I)的全氣間二氧雜環(huán)戊締：
其中Ri、化、R3和R4,彼此相同或不同，獨立地選自由W下各項組成的組:-F、任選地包含一個或多個氧原子的C1-C6氣烷基、W及任選地包含一個或多個氧原子的C1-C6氣烷氧基；W 及 -聚合物（F-4)，包含衍生自至少一種具有式 CR7l?8 = CR9〇CRioRii(CRi2Ri3)a(0)bCRi4 = CR15R16的可環(huán)化聚合單體的重復單元，其中R?至Ri6，彼此獨立，各自選自-F和C廣C3氣烷基，a 是0或1，b是0或1，其條件是當a是1時b是0。
[0044] 該聚合物（F-1)優(yōu)選地包含衍生自乙締化）W及Ξ氣氯乙締（CTFE)和四氣乙締 (T陽）中的至少一種的重復單元。
[0045] 該聚合物(F-1)更優(yōu)選地包含： (a) 按摩爾計從30%至48%、優(yōu)選從35%至45%的乙締巧）； (b) 按摩爾計從52%至70%、優(yōu)選地從55%至65%的Ξ氣氯乙締（CTFE)、四氣乙締 (T陽)或其混合物；W及 (C)基于單體(a)和(b)的總量，按摩爾計最高達5%、優(yōu)選地最高達2.5%的一種或多種氣化和/或氨化的共聚單體。
[0046] 該共聚單體優(yōu)選地是選自（甲基)丙締酸單體的組的氨化共聚單體。該氨化共聚單體更優(yōu)選地是選自由W下各項組成的組:丙締酸徑烷基醋共聚單體(如丙締酸徑乙基醋、丙締酸徑丙基醋和丙締酸(徑基）乙基己基醋），W及丙締酸烷基醋共聚單體(如丙締酸正下基醋)。
[0047] 在聚合物(F-1)中，優(yōu)選的是ECWE共聚物，即乙締和CTFEW及任選地第Ξ共聚單體的共聚物。
[004引適合于本發(fā)明的方法的ECWE聚合物典型地具有不超過210°C、優(yōu)選地不超過200 °C、甚至不超過198 °C、優(yōu)選地不超過195 °C、更優(yōu)選地不超過193 °C、甚至更優(yōu)選地不超過 190°C的烙融溫度。該ECWE聚合物具有有利地至少120°C、優(yōu)選地至少130°C、還優(yōu)選地至少 140°C、更優(yōu)選地至少145 °C、甚至更優(yōu)選地至少150°C的烙融溫度。
[0049] 根據ASTM D 3418,通過差示掃描量熱法(DSC)W10°C/min的加熱速率確定該烙融溫度。
[0050] 已經發(fā)現給出特別良好結果的ECWE聚合物是主要由衍生自W下各項的重復單元組成的那些： (a) 按摩爾計從35%至47%的乙締巧）； (b) 按摩爾計從53%至65%的Ξ氣氯乙締(CT陽）。
[0051] 導致重復單元不同于上述那些的端鏈、缺陷或少量單體雜質仍可包含在優(yōu)選的 ECTFE中，而不影響該材料的特性。
[0052] 按照ASTM 3275-81程序在230°C和2.16Kg下測量的該ECWE聚合物的烙體流動速率的范圍通常從O.Olg/lOmin至75g/10min、優(yōu)選地從0.1 g/lOmin至50g/10min、更優(yōu)選地從 0.5g/10min至30g/10min。
[0053] 根據ASTM D 3418, W10°C/min的加熱速率通過差示掃描量熱法(DSC)確定聚合物 (F-1)的烙解熱。
[0054] 該聚合物(F-1)典型地具有最多35J/g、優(yōu)選地最多30J/g，更優(yōu)選地最多25J/g的烙解熱。
[0055] 該聚合物(F-1)典型地具有至少IJ/g、優(yōu)選地至少2J/g、更優(yōu)選地至少5J/g的烙解熱。
[0056] 該聚合物(F-1)有利地是半晶質聚合物。
[0057] 該聚合物(F-2)優(yōu)選地包含： (a'）按摩爾計至少60 %、優(yōu)選地按摩爾計至少75 %、更優(yōu)選地按摩爾計至少85 %的偏二氣乙締(VD巧；W及 (b '）任選地，按摩爾計從0.1 %至15 %、優(yōu)選地按摩爾計從0.1 %至12 %、更優(yōu)選地按摩爾計從0.1 %至10 %的一種或多種氣化單體，該一種或多種氣化單體選自氣乙締(VFi)、^ 氣氯乙締(CTFE)、六氣丙締化FP)、四氣乙締(T陽）、Ξ氣乙締(Tr陽似及全氣甲基乙締基酸 (PMVE)o
[005引該聚合物（F-2)可W進一步包含按摩爾計從0.01%至20%、優(yōu)選地按摩爾計從 0.05 %至18%、更優(yōu)選地按摩爾計從0.1 %至10%的如W上定義的至少一種（甲基）丙締酸單體。
[0059] 該聚合物(F-3)優(yōu)選地包含衍生自四氣乙締(TFE)的重復單元W及按重量計至少 1.5%、優(yōu)選地按重量計至少5%、更優(yōu)選地按重量計至少7%的衍生自至少一種不同于TFE 的氣化單體的重復單元。
[0060] 該聚合物(F-3)優(yōu)選地包含衍生自四氣乙締(TFE)的重復單元W及按重量計最多 30%、優(yōu)選地按重量計最多25%、更優(yōu)選地按重量計最多20%的衍生自至少一種不同于TFE 的氣化單體的重復單元。
[0061] 該聚合物(F-3)更優(yōu)選地選自由W下各項組成的組： -聚合物(F-3A)，包含衍生自四氣乙締 (TFE)和至少一種全氣烷基乙締基酸的重復單元，該至少一種全氣烷基乙締基酸選自由W下各項組成的組:具有式CF2 = CF0C的的全氣甲基乙締基酸、具有式CF2 = CFOC2Fs的全氣乙基乙締基酸W及具有式CF2 = CF0C3F7的全氣丙基乙締基酸；W及 -聚合物(F-3B)，包含衍生自四氣乙締 (TFE)和至少一種具有式（I)的全氣間二氧雜環(huán) 戊締的重復單元：
其中化、R2、R3和R4,彼此相同或不同，獨立地選自由W下各項組成的組:-F，&-C3全氣燒基（例如-CF3、-C2F5、-C3F7)，W及任選地包含一個氧原子的C1-C3全氣烷氧基（例如-0〔尸3、- OC2F5、-OC3F7、-OCF2CF2OC的）；優(yōu)選地，其中化=化=-F并且化=R4是&-C3全氣烷基，優(yōu)選地化 =R4=-C的，或者其中化=R3 = R4 = -F并且化是C廣C3全氣氧烷基，例如-0C的、-OC2F5、-OC3F7。
[0062] 值得注意地，適合的聚合物(F-3A)的非限制性實例包括從意大利蘇威特種聚合物公司（Solvay Specialty 化lymers Ualy S.p.A)W商品名.打YFL0'N'9PFA P和Μ系列和 HY：FLON" MFA可商購的那些。
[0063] 該聚合物(F-3B)更優(yōu)選地包含衍生自四氣乙締(TFE) W及至少一種如W上定義的具有式（I)的全氣間二氧雜環(huán)戊締的重復單元，其中化= R3 = R4=-F并且R2 = -0CF3,或者其中Ri =化=-F并且化=R4=-C的。
[0064] 值得注意地，適合的聚合物(F-3B)的非限制性實例包括從意大利蘇威特種聚合物公司W商標名HYFLONKAD和從杜邦公司化.I.Du Pont de Nemours and Co.)W TEFLON? AF可商購的那些。
[0065] 該聚合物（F-4)優(yōu)選地包含衍生自至少一種具有式CR7l?8 = CR9〇CRiqRii ( CRi2Ri3 ) a (0)bCRi4 = CRisRi6的可環(huán)化聚合單體的重復單元，其中每個R7至Ri6,彼此獨立，為-F，a=l并且 b = 0。
[0066] 該聚合物(F-4)典型地是無定形的。
[0067] 值得注意地，適合的聚合物（F-4)的非限制性實例包括從旭硝子公司（Asahi G1 asS Company似商標名C YTOP K可商購的那些。
[0068] 該聚合物(F)典型地通過懸浮或者乳液聚合方法制造。
[0069] 在本發(fā)明的上下文中，術語"至少一種聚(芳基酸酬)聚合物[聚合物(PAEK)]"旨在表示一種或多于一種的聚合物(PAEK)。聚合物(PAEK)的混合物可W有利地用于本發(fā)明的目的。
[0070] 出于本發(fā)明的目的，術語"聚(芳基酸酬)聚合物[聚合物(PA邸)]"旨在表示包含重復單元的任何聚合物，其中按摩爾計超過50%的所述重復單元是包含Ar-C(0)-Ar'基團的重復單元(Rpaek)，其中Ar和Ar'，彼此相同或不同，是包含至少一個芳香族單或多核環(huán)的芳香族部分。運些重復單元(化AEK)總體上選自由具有在此W下的式(J-A)至(J-0)的那些組成的組：

其中： -每個R'，彼此相同或不同，選自下組，該組由W下各項組成：面素、烷基、締基、烘基、芳基、酸、硫酸、簇酸、醋、酷胺、酷亞胺、堿金屬或堿±金屬橫酸鹽、烷基橫酸醋、堿金屬或堿± 金屬麟酸鹽、烷基麟酸醋、胺和季錠； -j'為零或從1至4的整數。
[0071] 在重復單元(化AEK)中，相應的亞苯基部分可W獨立地具有1，2-、1,4-或1,3-鍵聯到在重復單元中不同于R'的其他部分。優(yōu)選地，所述亞苯基部分具有1,3-或1,4-鍵聯，更優(yōu) 選地它們具有1,4-鍵聯。
[0072] 盡管如此，在重復單元(Rpaek)中，j'在每次出現時可W為零，也就是說，運些亞苯基部分除了在聚合物(PAEK)的主鏈中使得能夠進行鍵聯的那些之外，沒有其他取代基。
[0073] 優(yōu)選的重復單元(Rpaek)因此選自由那些具有在此W下的式(J'-A)至(J'-O)組成的組：

[0074] 在如上所定義的聚合物(PAEK)中，優(yōu)選地按摩爾計大于60%、更優(yōu)選地按摩爾計大于80%、甚至更優(yōu)選地按摩爾計大于90%的重復單元是如W上定義的重復單元(Rpaek)。
[0075] 盡管如此，總體上優(yōu)選的是該聚合物(PAEK)的基本上所有的重復單元是如W上定義的重復單元(Rpaek);可能存在鏈缺陷或少量的其他重復單元，應理解運些后者不實質性地改變重復單元(Rpaek)的特性。
[0076] 該聚合物(PAEK)值得注意地可W是均聚物，或共聚物，如無規(guī)的、交替的或嵌段的共聚物。當該聚合物(PAEK)是共聚物時，它可W值得注意地包含（i)具有至少兩種不同的選自式(J-A)至(J-0)的式的重復單元(Rpaek),或（ii)具有一種或多種式(J-A)至(J-0)的重復單元(Rpaek似及不同于重復單元(Rpaek)的重復單元(R卸AEK)。
[0077] 如之后將詳述的，該聚合物(PAEK)可W是聚（酸酸酬）聚合物[聚合物(PEEK)]?？?替代地，該聚合物(PAEK)可W是聚(酸酬酬)聚合物[聚合物(PEKK)]、聚(酸酬)聚合物[聚合物（PEK)]、聚（酸酸酬酬）聚合物[聚合物（PEEKK)]、或聚（酸酬酸酬酬）聚合物[聚合物牌KEKK)]。
[0078] 該聚合物(PAEK)還可W是包含選自由W下各項組成的組的如W上定義的至少兩種不同的聚合物(PAEK)的共混物：聚合物（PEKK)、聚合物（PEEK)、聚合物（PEK)和聚合物牌KEKK)。
[0079] 出于本發(fā)明的目的，術語"聚合物(P邸ΚΓ旨在表示包含重復單元的任何聚合物，其中按摩爾計大于50%的所述重復單元是具有式J'-A的重復單元(Rpaek)。
[0080] 優(yōu)選地按摩爾計大于75%、更優(yōu)選地按摩爾計大于85%、甚至更優(yōu)選地按摩爾計大于95%、仍更優(yōu)選地按摩爾計大于99%的聚合物(P邸K)的重復單元是具有式J'-A的重復單元(Rpaek)。最優(yōu)選地，該聚合物(陽邸)的所有重復單元是具有式J'-A的重復單元(Rpaek)。
[0081] 出于本發(fā)明的目的，術語"聚合物(P邸ΚΓ旨在表示包含重復單元的任何聚合物，其中按摩爾計大于50%的所述重復單元是具有式J'-B的重復單元(Rpaek)。
[0082] 優(yōu)選地按摩爾計大于75%、更優(yōu)選地按摩爾計大于85%、甚至更優(yōu)選地按摩爾計大于95%、仍更優(yōu)選地按摩爾計大于99%的聚合物(PEKK)的重復單元是具有式J'-B的重復單元(Rpaek)。最優(yōu)選地，該聚合物(陽KK)的所有重復單元是具有式J'-B的重復單元(Rpaek)。
[0083] 該組合物(Cl)還可W包含一種或多種添加劑，比如，但不局限于，抗沖擊改性劑、增塑劑、加工助劑、填充劑、顏料、抗氧化劑、抗靜電劑、表面活性劑、分散助劑和阻燃劑。
[0084] 本領域的技術人員將依賴于該層化1)的厚度來選擇該組合物(C1)中一種或更多種添加劑的合適的量。
[0085] 在本發(fā)明方法的步驟(A-i)中，該組合物(C1)典型地使用標準方法制造。
[0086] 可W使用通常的混合裝置，如靜態(tài)混合器和高強度混合器。對于獲得更好的混合效率而言，高強度混合器是優(yōu)選的。
[0087] 在本發(fā)明方法的步驟(A-i)中，該組合物(C1)典型地使用烙融加工技術在烙融相中進行處理。該組合物(C1)通常是在總體上包含在100°C與300°C之間的溫度下通過擠出穿過?？趤硖幚恚琖生成通常被切割用于提供粒料的條狀物。雙螺桿擠出機是用于實現該組合物(C1)的烙融混配的優(yōu)選的設備。
[0088] 通過加工通過傳統膜擠出技術如此獲得的粒料來典型地制造該層化1)。膜擠出優(yōu) 選地使用扁平流延膜擠出法或熱吹塑膜擠出法來實現。
[0089] 該層化1)優(yōu)選地還通過一種或多種平面化技術進行加工。
[0090] 值得注意地，適合的平面化技術的非限制性實例包括，雙向拉伸、拋光和平面化涂覆處理。
[0091] 已經發(fā)現，通過借助一個或多個平面化技術來進一步加工該層化1)，其表面呈平滑的W確保該層化2)的更高的層間粘附性。
[0092] 在本發(fā)明方法的步驟(A-ii)中，該層化1)的至少一個表面、優(yōu)選地該內表面通過在蝕刻氣體介質的存在下的射頻輝光放電方法進行處理，由此提供包含一種或多種接枝的官能團的至少一個表面[表面化1-f)]。
[0093] 術語"官能團"在此根據其通常的含義用于表示通過共價鍵彼此連接的一組原子，其造成具有該聚合物(1)的表面化1-f)的反應性。
[0094] 出于本發(fā)明的目的，術語"接枝的官能團"旨在表示通過接枝到該聚合物（1)的主鏈上可獲得的官能團。
[00%]出于本發(fā)明的目的，術語"接枝"根據其通常的含義用于表示自由基過程，通過該自由基過程一個或多個官能團被插入到聚合物骨架的表面上。
[0096] 通過在蝕刻氣體介質的存在下用射頻輝光放電方法來處理該層化1)的至少一個表面可獲得的接枝的官能團典型地包含所述蝕刻氣體介質的至少一個原子。
[0097] 通過"射頻輝光放電方法"，它在此旨在表示通過射頻放大器供能的方法，其中輝光放電是通過在含有蝕刻氣體的電池中的兩個電極之間施用電壓而產生的。然后，典型地將如此產生的輝光放電穿過噴射頭W到達待處理的材料的表面。
[0098] 通過"蝕刻氣體介質"，它在此旨在表示適合于在射頻輝光放電方法中使用的氣體或氣體的混合物。
[0099] 該蝕刻氣體優(yōu)選地選自由W下各項組成的組:空氣、化、N出、CH4、0)2、He、化、此W及其混合物。
[0100] 該蝕刻氣體介質更優(yōu)選地包含化和/或N出W及，任選地，出。
[0101] 該射頻輝光放電方法典型地是在減壓下或在大氣壓下進行的。
[0102] 該射頻輝光放電方法優(yōu)選地是在約760托的大氣壓下進行的。
[0103] 大氣壓等離子體具有顯著的技術意義，因為與低壓等離子體或高壓等離子體相比，無需確保反應容器維持不同于大氣壓力的壓力水平。
[01 04]該射頻輝光放電方法典型地在包括在化化與100k化之間的射頻下進行。
[0105] 該射頻輝光放電方法典型地是在包括在化V與50kV之間的電壓下進行。
[0106] 根據本發(fā)明方法的第一實施例，在步驟(A-ii)中的射頻輝光放電方法產生電暈放電。
[0107] 本發(fā)明方法的此第一實施例的射頻輝光放電方法典型地在包括在化化與15kHz之間的射頻下進行。
[0108] 本發(fā)明方法的此第一實施例的射頻輝光放電方法典型地在包括在化V與20kV之間的電壓下進行。
[0109] 該電暈放電典型地具有包括在1 X 109與1 X l〇i3cnf3之間的密度。
[0110] 根據本發(fā)明方法的第二實施例，在步驟(A-ii)中的射頻輝光放電方法產生等離子體放電。
[0111] 本發(fā)明方法的此第二實施例的射頻輝光放電方法典型地在包括在lOkHz與100曲Z 之間的射頻下進行。
[0112] 本發(fā)明方法的此第二實施例的射頻輝光放電方法典型地在包括在化V與15kV之間的電壓下進行。
[011引該等離子體放電典型地具有包括在IX 1016與IX 10ι%Γ3之間的密度。
[0114] 本
【申請人】已經發(fā)現，在蝕刻氣體的存在下通過射頻輝光放電方法處理該層化1)之后，該層化1)成功地保持包括其柔性的其本體特性。
[0115] 通過在包含化和/或NH3W及任選地出的蝕刻氣體介質存在下，典型地在大氣壓下，用射頻輝光放電方法處理該層化1)的表面可獲得的該層化1)的表面化1-f)的接枝的官能團的非限制性實例值得注意地包括選自下組的那些，該組由W下各項組成:胺基團（-N出）、亞胺基團（-CH=NH)、臘基團（-CN)和酷胺基團（-C0N出）。
[0116] 該層化1)的表面化1-f)的接枝的官能團的性質可W通過任何合適的技術、典型地通過FT-IR技術如禪合到FT-IR技術的衰減全反射(ATR)或通過X射線誘導的光電子能譜 (XPS)技術來確定。
[0117] 本
【申請人】已經出人意料地發(fā)現，表面化1-f)被成功地連續(xù)粘附到該層化2)上而沒有任何中間的連接層。
[0118] 本
【申請人】還已經發(fā)現該表面化1-f)有利地提供了與通過無電沉積涂覆到其上的層化2)的優(yōu)異的層間粘附。
[0119] 出于本發(fā)明的目的，通過"無電沉積"，它是指典型地在電鍛浴中進行的氧化還原過程，其中在適合的化學還原劑的存在下金屬化合物被從其氧化態(tài)還原至其元素態(tài)。
[0120] 在本發(fā)明方法的步驟(A-iii)中，該層化1)的表面化1-f)典型地與無電金屬化催化劑接觸，由此提供催化層[層化1。)]。
[0121] 然后，該層化2)典型地是使用包含至少一種源于至少一種金屬化合物(Ml)的金屬離子的組合物(C2)通過無電沉積到該層化1。)上可獲得的。
[0122] 本
【申請人】認為，運并不限制本發(fā)明的范圍，該層化1。)是該無電沉積過程的瞬時中間體，運樣使得該層化2)最終被直接粘附至該層化1)的表面化1-f)上。
[0123] 該無電金屬化催化劑典型地選自由基于W下各項的催化劑組成的組:鈕、銷、錠、銀、儀、銅、銀和金。
[0124] 該無電金屬化催化劑優(yōu)選地選自鈕催化劑(比如PdCl2)。
[0125] 該層化1)的表面化1-f)典型地與該無電金屬化催化劑在液相中在至少一種液體介質的存在下接觸。
[01%]該組合物(C2)典型地包含至少一種源于至少一種金屬化合物(Ml)的金屬離子、至少一種還原劑、至少一種液體介質W及任選地一種或多種添加劑。
[0127] 該金屬化合物(Ml)典型地選自由W下各項組成的組:I?h、Ir、Ru、Ti、Re、Os、Cd、Tl、饑、Bi、In、Sb、Al、Ti、Qi、Ni、Pd、V、Fe、Cr、Mn、Co、ai、Mo、W、Ag、Au、Pt、I;r、Ru、Pd、Sn、Ge、Ga、其合金W及其衍生物。
[0128] 該金屬化合物(Ml)優(yōu)選地選自下組，該組由W下各項組成:化、41、化、4肖、？(1、411及其合金。
[0129] 值得注意地，適合的液體介質的非限制性實例包括水、有機溶劑和離子液體。
[0130] 在有機溶劑中，醇是優(yōu)選的，如乙醇。
[0131] 適合的還原劑的非限制性實例包括，值得注意的是，甲醒、次憐酸鋼W及阱。
[0132] 值得注意地，合適的添加劑的非限制性實例包括鹽、緩沖劑和適于增強該液體組合物中催化劑穩(wěn)定性的其他材料。
[0133] 該層化2)典型地具有包含在0.05WI1與5WI1之間、優(yōu)選地在0.8WI1與1.5WI1之間的厚度。
[0134] 該層化2)的厚度可W通過任何合適的技術、典型地通過掃描電子顯微鏡（SEM)技術測量。
[0135] 本發(fā)明的方法可W進一步包括步驟(A-iv)，其中通過電沉積將層化3)涂覆到該層化2)的相反側上。
[0136] 出于本發(fā)明的目的，通過"電沉積"，它是指典型地在電解池中使用電解液進行的過程，其中使用電流來將金屬化合物從其氧化態(tài)還原至其元素態(tài)。
[0137] 典型地通過電沉積使用包含至少一種源于至少一種金屬化合物(M2)的金屬離子的組合物(C3)將該層化3)涂覆到該層化2)的相反側上。
[0138] 該金屬化合物(M2)，與該金屬化合物(Ml)相同或不同，典型地選自由W下各項組成的組：I?h、Ir、Ru、Ti、Re、Os、Cd、TlJb、Bi、In、Sb、Al、Ti、Cu、Ni、Pd、V、Fe、Cr、Mn、Co、Zn、 1〇、胖、4邑、411、？1、^、咖、？(1、511、66、6曰、其合金^及其衍生物。
[0139] 該金屬化合物(M2)優(yōu)選地選自下組，該組由W下各項組成:化、41、化、4肖、？(1、411及其合金。
[0140] 該組合物(C3)優(yōu)選地包含至少一種源于至少一種金屬化合物(M2)的金屬離子、至少一種金屬面化物、W及任選地至少一種離子液體。
[0141] 合適的離子液體的非限制性實例值得注意地包括包含W下各項的那些： -選自由W下各項組成的組的陽離子:硫鐵離子或咪挫鐵、化晚鐵、化咯燒鐵或贓晚鐵環(huán)，所述環(huán)任選地在氮原子上特別地被具有1至8個碳原子的一個或多個烷基取代，并且在碳原子上特別是被具有1至30個碳原子的一個或多個烷基取代，W及 -陰離子，選自由面化物陰離子、全氣化的陰離子和棚酸根組成的組。
[0142] 在本發(fā)明方法的步驟(A-iv)中，如果有的話，將該層化2)的相反面有利地連續(xù)粘附到層化3)上。
[0143] 該層化3)典型地具有包含在Ο.?μπι與30μπι之間、優(yōu)選地在Ιμπι與15μπι之間的厚度。
[0144] 該層化3)的厚度可W通過任何合適的技術、典型地通過掃描電子顯微鏡（SEM)技術測量。
[0145] 在本發(fā)明方法的或者步驟(A-iii)中或者步驟(A-iv)(如果有的話）中提供的隔離系統典型地被干燥，優(yōu)選地在包含在50°C與150°C之間的溫度下、更優(yōu)選地在包含在100°C 與150°C之間的溫度下。
[0146] 根據本發(fā)明的優(yōu)選的實施例，本發(fā)明的隔離系統包括一個或多個隔離墊，其中每個所述隔離墊包括： -由隔離材料[材料(I)]組成的忍，W及 -包封所述忍的殼，所述殼包括至少一個多層組件，該至少一個多層組件包括： (1) 外層化1)，其中該內表面包含一種或多種接枝的官能團[表面化1-f)]， (2) 直接粘附到所述表面化1-f)的由Cu組成的層化2)，W及 (3) 任選地，直接粘附到該層化2)的相反側的由至少一種金屬組成的層化3)，該至少一種金屬選自化、41、化、4旨、？(1、411^及其合金。
[0147] 本發(fā)明的方法還可W進一步包括步驟(A-V)至(A-vii)，其中將一個或多個層涂覆到層化2)或層化3)(如果有的話)的相反側上。
[0148] 本發(fā)明的隔離系統的忍典型地由隔離材料[材料（I)]組成，該隔離材料選自泡沫材料和有機或無機纖維材料。
[0149] 該層化4)典型地由選自由無機小片材料組成的組的無機材料[材料(IN)]組成。
[0150] 該層化5)典型地被用來使該殼的多層組件的層彼此粘附。
[0151] 該層化5)典型地由選自下組的材料組成，該組由W下各項組成:基于聚醋的粘合劑層、基于聚氣乙締的粘合劑層、基于娃酬的粘合劑層W及其混合物。
[0152] 該層化5)可W進一步包含至少一種阻燃添加劑，該至少一種阻燃添加劑選自錬化合物、水合氧化侶化合物、棚酸鹽、碳酸鹽、碳酸氨鹽、無機面化物、憐酸鹽、硫酸鹽、有機面素或有機憐酸鹽。
[0153] 該層化6)典型地是由選自下組的聚合物（2)組成的織造織物，該組由W下各項組成:聚酷胺、聚醋、聚酷亞胺和聚(芳基酸酬）。
[0154] 在本發(fā)明方法的步驟(A-V)至(A-vii)中的任何一項中，如果有的話，運些層典型地通過本領域通常已知的技術被涂覆到彼此之上。
[0155] 在常規(guī)技術中，可W值得注意地提及的是烙體加工技術，比如共層壓、共擠出（例如共擠出-層壓、共擠出-吹塑和共擠出-模制）、擠出涂覆、涂覆、包覆注塑模制或共注塑模制技術。
[0156] 運些技術的一種或其他的選擇典型地是基于所述層的每一個的材料和其厚度而做出的。
[0157] 若任何通過引用結合在此的專利、專利申請W及公開物的披露內容與本申請的描述相沖突的程度到了可能導致術語不清楚，則本說明應該優(yōu)先。
[0158] 現在將參考W下實例更詳細地說明本發(fā)明，運些實例的目的僅僅是說明性的并且并不限制本發(fā)明的范圍。
[0159] 原料
[0160] W商品么KETASPHIE'呵商購的陽邸[陽邸-1]。
[0161] 水蒸氣透過性的評價水蒸氣透過性是根據ASTM F1249標準測試程序借助于水蒸氣透過率(WVTR)測量的。 WTR代表每單位面積每單位時間每單位氣壓穿過單位厚度的材料的水蒸氣的體積。在38Γ 下在90%的相對濕度下測量WVTR。
[0162] 實例1-隔離系統的制造
[0163] 1-A-陽邸-1層的制造 PE邸-1層通過在配備有2.5"的單級擠出機的共擠出流延膜生產線上加工PE邸-1粒料來制造。該擠出機被連接到扁平的自動計量(auto-gauge)?？?。當從該?？谕顺鰰r，將烙融的帶在Ξ個后續(xù)的冷卻漉上流延，調節(jié)其速度W獲得希望的膜厚度?？偤穸群脱刂鴮挾鹊?厚度變化是由β-射線計量控制系統來控制并反饋到?？凇?br>[0164] 1-Β-表面改性根據實例1-Α獲得的ΡΕ邸-1層在大氣壓下通過射頻等離子體放電方法進行處理。蝕刻氣體是化(按體積計95 % )和出(按體積計5 % )的混合物。工作頻率是40曲Ζ并且電壓是20kV。已經通過XPS分析發(fā)現，如此處理過的PEEK-1層的表面包含含有氮基團的官能團 (2.87At%)〇
[01化]1-C-金屬化過程根據實例1-B獲得的PEEK-1層通過無電鍛涂覆有金屬銅。在銅沉積之前，將如此處理過的PEEK-1層通過浸入含有0.03g/L的PdCl2的水溶液中持續(xù)1分鐘來進行活化，導致該經處理的PEEK-1層完全W高密度涂覆有Pd顆粒。然后將該活化的PEEK-1層浸入含有l(wèi)Og/L的化S〇4和0.0Ig/L的甲醒的水性電鍛浴中。該電鍛溫度是化°C并且其pH值是4。
[0166] 對比實例1 根據實例1-A獲得的PE邸-1層原樣提供。如通過XPS分析確認的，該PE邸-1層的表面不包含含有氮基團的官能團。
[0167] 已經發(fā)現根據本發(fā)明的隔離系統的金屬化的聚合物（1)層有利地提供如與未經處理的聚合物（1)層相比更低的水蒸氣透過性(參見在此W下的表1)。表1
[0168] 根據本發(fā)明的隔離系統由此特別適合用于飛機應用中。
【主權項】
1. 一種用于制造包括一個或多個隔離墊的隔離系統的方法，所述方法包括W下步驟： (A) 提供包括多層組件的殼，所述多層組件是通過W下步驟可獲得的： (A-i)提供由組合物[組合物(C1)]組成的層[層化1)]，該組合物包含W下項、優(yōu)選地由 W下項組成:至少一種具有按體積計至少20%的極限氧指數化01)的熱塑性聚合物[聚合物 (1)]， (A-ii)在蝕刻氣體介質的存在下通過射頻輝光放電方法處理所述層化1)的至少一個表面、優(yōu)選地內表面， (A-iii)通過無電沉積將由至少一種金屬化合物(Ml)組成的層[層化2)]涂覆到如在步驟(A-ii)中提供的該層化1)的所述至少一個經處理的表面上，W及 (A-iv)任選地，通過電沉積將由至少一種金屬化合物(M2)組成的層[層化3)]涂覆到如在步驟(A-iii)中提供的該層化2)的相反側上，所述金屬化合物(M2)與所述金屬化合物 (Ml)相同或不同； (B) 提供由隔離材料[材料(I)]組成的忍;并且 (C) 由該殼包封所述忍。2. 根據權利要求1所述的方法，其中該層化1)是該殼的外層。3. 根據權利要求1或2所述的方法，其中該聚合物（1)選自下組，該組由W下各項組成： -具有按體積計至少30%的極限氧指數化01)的氣聚合物[聚合物(F)]，W及 -具有按體積計至少30%的極限氧指數化01)的聚(芳基酸酬）[聚合物(PAEK)]。4. 根據權利要求3所述的方法，其中該聚合物(F)選自下組，該組由W下各項組成： -聚合物(F-1)，包含衍生自至少一種選自四氣乙締（TFE)和Ξ氣氯乙締(CTFE)的氣化單體、W及至少一種選自乙締、丙締 W及異下締的氨化單體的重復單元，任選地含有一種或多種額外的共聚單體，該一種或多種額外的共聚單體的量典型地為基于TFE和/或CTFEW及所述一種或多種氨化單體的總量的按摩爾計從0.01%至30%; -聚合物(F-2)，包含衍生自偏二氣乙締(VDF)W及任選地一種或多種不同于VDF的氣化單體的重復單元； -聚合物(F-3)，包含衍生自四氣乙締(TFE)和至少一種不同于WE的選自由W下各項組成的組的氣化單體的重復單元： -具有式CF2 = CF0Rfi'的全氣烷基乙締基酸，其中Rfi'是C廣C6全氣烷基； -具有式CF2 = CFOXo的全氣-氧烷基乙締基酸，其中Xo是包含一個或多個酸基團的Ci-Ci2 全氣氧烷基，如全氣-2-丙氧基-丙基； -C3-C8全氣締控，例如六氣丙締(HFP); W及 -具有式(I)的全氣間二氧雜環(huán)戊締：其中Rl、R2、R3和R4，彼此相同或不同，獨立地選自由W下各項組成的組:-F、任選地包含一個或多個氧原子的C1-C6氣烷基、W及任選地包含一個或多個氧原子的C1-C6氣烷氧基；W 及 -聚合物（F-4)，包含衍生自至少一種具有式 CR7l?8 = CR9〇CRioRii(CRi2Ri3)a(0)bCRi4 = CRi日Ri6的可環(huán)化聚合單體的重復單元，其中R?至化6，彼此獨立，各自選自-F和&-C3氣烷基，a 是0或1，b是0或1，其條件是當a是1時b是0。5. 根據權利要求1至4中任一項所述的方法，其中該蝕刻氣體介質選自由W下各項組成的組：空氣、N2、畑3、邸4、C〇2、化、〇2、出W及其混合物。6. 根據權利要求5所述的方法，其中該蝕刻氣體介質包含化和/或NH3W及，任選地，出。7. 根據權利要求1至6中任一項所述的方法，其中該金屬化合物(Ml)選自由W下各項組成的組：I?h、Ir、Ru、Ti、Re、Os、Cd、TlJb、Bi、In、Sb、Al、Ti、Cu、Ni、Pd、V、Fe、Cr、Mn、Co、Zn、 1〇、胖、4邑、411、？1、^、咖、？(1、511、66、6曰、其合金^及其衍生物。8. 根據權利要求1至7中任一項所述的方法，其中在步驟(A-iv)中，如果有的話，通過電沉積將該層化3)涂覆到該層化2)的相反側上。9. 根據權利要求8所述的方法，其中該金屬化合物(M2)，與該化合物(Ml)相同或不同，選自由 W下各項組成的組：I^、Ir、Ru、Ti、Re、Os、Cd、TlJb、Bi、In、Sb、Al、Ti、Cu、Ni、Pd、V、 Fe、Cr、Mn、Co、al、Mo、W、Ag、Au、Pt、Ir、Ru、Pd、Sn、Ge、Ga、其合金W及其衍生物。10. -種通過根據權利要求1至9中任一項所述的方法可獲得的隔離系統，所述隔離系統包括一個或多個隔離墊，其中每個所述多層隔離墊包括： -由隔離材料[材料(I)]組成的忍，W及 -包封所述忍的殼，所述殼包括至少一個多層組件，該至少一個多層組件包括： (1) 由組合物[組合物(C1)]組成的外層[層化1)]，該組合物包含W下項、優(yōu)選地由W下項組成：至少一種具有按體積計至少20%的極限氧指數化01)的熱塑性聚合物[聚合物 (1)]，其中所述層化1)的至少一個表面、優(yōu)選地該內表面包括一種或多種接枝的官能團[表面化1-f)]， (2) 直接粘附到所述至少一個表面化1-f)上的由至少一種金屬化合物(Ml)組成的層 [層化2)]，W及 (3) 任選地，直接粘附到該層化2)的相反側上的由至少一種金屬化合物(M2)組成的層 [層化3)]，所述金屬化合物(M2)與所述金屬化合物(Ml)相同或不同。11. 通過根據權利要求6所述的方法可獲得的隔離系統，其中該表面化1-f)包括一種或多種選自下組的接枝的官能團，該組由W下各項組成:胺基團（-N此）、亞胺基團（-CH=NH)、臘基團（-CN)和酷胺基團（-C0N出）。12. 根據權利要求10或11所述的隔離系統，其中該層化2)具有包含在0.05μπι與扣m之間、優(yōu)選地在0.祉m與1.5皿之間的厚度。13. 根據權利要求10至12中任一項所述的隔離系統，其中該層化3)，如果有的話，具有包含在0.1皿與30皿之間、優(yōu)選地在1皿與15皿之間的厚度。14. 根據權利要求10至13中任一項所述的隔離系統在飛機應用中的用途。
【文檔編號】B32B27/06GK105848874SQ201480070678
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2014年12月23日
【發(fā)明人】P.科約卡魯, S.摩塔拉, F.M.特里厄爾齊, M.阿波斯托羅
【申請人】索爾維特殊聚合物意大利有限公司

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