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      帶側(cè)置發(fā)聲器的爬行墊的制作方法

      文檔序號(hào):9831606閱讀:286來(lái)源:國(guó)知局
      帶側(cè)置發(fā)聲器的爬行墊的制作方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及嬰兒用品領(lǐng)域,具體指具有按壓發(fā)聲及兒童音樂(lè)播放功能的帶側(cè)置發(fā)聲器的爬行墊。
      【背景技術(shù)】
      [0002]爬行對(duì)于嬰兒的身體健康以及平衡能力的培養(yǎng)至關(guān)重要,而爬行墊就是為兒童爬行創(chuàng)造優(yōu)質(zhì)條件。嬰兒爬行墊有各種品牌,而且不但可以爬行,而且觸動(dòng)文字或者圖案還可以說(shuō)話,唱歌,講故事等。
      [0003]傳統(tǒng)的爬行用品一般是毛毯,被褥,但是這些用品有許多問(wèn)題:一,厚重,不容易攜帶;二,易臟,清洗費(fèi)時(shí)費(fèi)力;三,吸濕,容易返潮。所以市場(chǎng)上出現(xiàn)了一種稱作“嬰兒爬行墊”的寶寶爬行用品,這種產(chǎn)品一般由EPE和保鮮膜組合而成,中層為EPE(珍珠發(fā)泡棉,一種無(wú)味環(huán)保材料,常用于食品包裝),表層為保鮮膜(一種環(huán)保彩膜,用于圖案印刷)。嬰兒爬行墊起源于日韓,并在日韓市場(chǎng)上趨于成熟,中國(guó)市場(chǎng)的認(rèn)知度也正逐步形成。
      [0004]嬰兒爬行墊有很多別名,兒童墊,嬰兒爬爬墊,寶寶游戲墊,寶寶活動(dòng)墊,其實(shí)都是指嬰兒爬行墊。目前還沒(méi)有一種不使用薄膜開(kāi)關(guān)與印刷電路,語(yǔ)音芯片的I/O數(shù)量少的帶側(cè)置發(fā)聲器的爬行墊。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0005]本發(fā)明正是針對(duì)以上技術(shù)問(wèn)題,提供一種不使用薄膜開(kāi)關(guān)與印刷電路,語(yǔ)音芯片的I/O數(shù)量少的帶側(cè)置發(fā)聲器的爬行墊。
      [0006]本發(fā)明主要通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。
      [0007]帶側(cè)置發(fā)聲器的爬行墊,包括發(fā)聲塊、上層EPE、上層電路、絕緣層、下層電路、下層EPE,其特征在于上層EPE、絕緣層、下層EPE從上至下依次設(shè)置,并用膠進(jìn)行粘合,發(fā)聲塊設(shè)置在上層EPE、絕緣層、下層EPE的一側(cè),發(fā)聲塊、上層EPE、絕緣層、下層EPE外側(cè)用布料縫合包邊,下層電路固定于下層EPE與絕緣層之間,上層電路固定于上層EPE與絕緣層之間。發(fā)聲塊、上層EPE、絕緣層、下層EPE整體呈矩形。上層電路、下層電路為互相正交的4*4矩陣電路。上層EPE、下層EPE采用印刷彩膜。上層電路、下層電路分別用導(dǎo)電金屬片制成。絕緣層采用EPE或海綿等軟材質(zhì)材料制成。發(fā)聲塊包括PCB、語(yǔ)音IC、Flash芯片、電子開(kāi)關(guān)、語(yǔ)音外接電路、喇叭,動(dòng)力源采用電池或外接電源。發(fā)聲塊的語(yǔ)音IC外接Flash芯片來(lái)拓展語(yǔ)音的容量。
      [0008]本發(fā)明的上層電路、下層電路由于采用互相正交的4*4矩陣電路代替了傳統(tǒng)的薄膜開(kāi)關(guān)和印刷電路,成本低廉,方便實(shí)用。而且采用導(dǎo)電金屬片制成互相正交的4*4矩陣電路極大的減少了語(yǔ)音芯片的I/O數(shù)量。
      [0009]本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、外形小巧、使用方便。
      【附圖說(shuō)明】
      [0010]附圖中,圖1是本發(fā)明結(jié)構(gòu)示意圖,其中:I 一發(fā)聲塊,2 一上層EPE,3 一上層電路,4 一絕緣層,5—下層電路,6—下層EPE。
      【具體實(shí)施方式】
      [0011 ]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明。
      [0012]帶側(cè)置發(fā)聲器的爬行墊,包括發(fā)聲塊1、上層EPE2、上層電路3、絕緣層4、下層電路
      5、下層EPE6,其特征在于上層EPE2、絕緣層4、下層EPE6從上至下依次設(shè)置,并用膠進(jìn)行粘合,發(fā)聲塊I設(shè)置在上層EPE2、絕緣層4、下層EPE6的一側(cè),發(fā)聲塊1、上層EPE2、絕緣層4、下層EPE6外側(cè)用布料縫合包邊,下層電路5固定于下層EPE6與絕緣層4之間,上層電路3固定于上層EPE2與絕緣層4之間。發(fā)聲塊1、上層EPE2、絕緣層4、下層EPE6整體呈矩形。上層電路3、下層電路5為互相正交的4*4矩陣電路。上層EPE2、下層EPE6采用印刷彩膜。上層電路3、下層電路5分別用導(dǎo)電金屬片制成。絕緣層4采用EPE或海綿等軟材質(zhì)材料制成。發(fā)聲塊I包括PCB、語(yǔ)音IC、Flash芯片、電子開(kāi)關(guān)、語(yǔ)音外接電路、喇叭,動(dòng)力源采用電池或外接電源。發(fā)聲塊I的語(yǔ)音IC外接Flash芯片來(lái)拓展語(yǔ)音的容量。
      [0013]本發(fā)明的上層電路3、下層電路5由于采用互相正交的4*4矩陣電路代替了傳統(tǒng)的薄膜開(kāi)關(guān)和印刷電路,成本低廉,方便實(shí)用。而且采用導(dǎo)電金屬片制成互相正交的4*4矩陣電路極大的減少了語(yǔ)音芯片的I/O數(shù)量。
      [0014]上述實(shí)施例只為說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn),其目的在于讓熟悉此項(xiàng)技術(shù)的人士能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施,并不能以此限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡根據(jù)本發(fā)明精神實(shí)質(zhì)所作的等效變化或修飾,都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1.帶側(cè)置發(fā)聲器的爬行墊,包括發(fā)聲塊、上層EPE、上層電路、絕緣層、下層電路、下層EPE,其特征在于上層EPE、絕緣層、下層EPE從上至下依次設(shè)置,并用膠進(jìn)行粘合,發(fā)聲塊設(shè)置在上層EPE、絕緣層、下層EPE的一側(cè),發(fā)聲塊、上層EPE、絕緣層、下層EPE外側(cè)用布料縫合包邊,下層電路固定于下層EPE與絕緣層之間,上層電路固定于上層EPE與絕緣層之間。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述帶側(cè)置發(fā)聲器的爬行墊,其特征在于所述發(fā)聲塊、上層EPE、絕緣層、下層EPE整體呈矩形。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述帶側(cè)置發(fā)聲器的爬行墊,其特征在于所述上層電路、下層電路為互相正交的4*4矩陣電路。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述帶側(cè)置發(fā)聲器的爬行墊,其特征在于所述上層EPE、下層EPE采用印刷彩膜。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述帶側(cè)置發(fā)聲器的爬行墊,其特征在于所述上層電路、下層電路分別用導(dǎo)電金屬片制成。6.絕緣層采用EPE或海綿等軟材質(zhì)材料制成。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述帶側(cè)置發(fā)聲器的爬行墊,其特征在于所述發(fā)聲塊包括PCB、語(yǔ)音IC、Flash芯片、電子開(kāi)關(guān)、語(yǔ)音外接電路、喇叭,動(dòng)力源采用電池或外接電源。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述帶側(cè)置發(fā)聲器的爬行墊,其特征在于所述發(fā)聲塊的語(yǔ)音IC外接Flash芯片來(lái)拓展語(yǔ)音的容量。
      【專利摘要】本發(fā)明涉及帶側(cè)置發(fā)聲器的爬行墊,包括發(fā)聲塊、上層EPE、上層電路、絕緣層、下層電路、下層EPE,其特征在于上層EPE、絕緣層、下層EPE從上至下依次設(shè)置,并用膠進(jìn)行粘合,發(fā)聲塊設(shè)置在上層EPE、絕緣層、下層EPE的一側(cè),發(fā)聲塊、上層EPE、絕緣層、下層EPE外側(cè)用布料縫合包邊,下層電路固定于下層EPE與絕緣層之間,上層電路固定于上層EPE與絕緣層之間。本發(fā)明的上層電路、下層電路由于采用互相正交的4*4矩陣電路代替了傳統(tǒng)的薄膜開(kāi)關(guān)和印刷電路,成本低廉,方便實(shí)用。而且采用導(dǎo)電金屬片制成互相正交的4*4矩陣電路極大的減少了語(yǔ)音芯片的I/O數(shù)量。
      【IPC分類】A47D13/00, A63H5/00
      【公開(kāi)號(hào)】CN105595680
      【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201610118710
      【發(fā)明人】陳海波
      【申請(qǐng)人】吳江市小葉包裝材料廠
      【公開(kāi)日】2016年5月25日
      【申請(qǐng)日】2016年3月3日
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