一種電子產(chǎn)品硅膠復(fù)合材料及制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種電子產(chǎn)品專用硅膠復(fù)合材料及其制備方法，屬于有機(jī)硅合成革技 術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著電子產(chǎn)品大量進(jìn)入人們的生活，電子產(chǎn)品專用材料已十分重要，但由于材料 的原因，現(xiàn)在的產(chǎn)品表面易損壞、不易清洗、使用時(shí)間短。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明針對上述問題的不足，提出一種電子產(chǎn)品硅膠復(fù)合材料及制備方法，所述 復(fù)合材料表面滑爽、防塵、防污、耐磨、耐刮傷，制備方法簡單無污染。
[0004 ]本發(fā)明為解決上述技術(shù)問題提出的技術(shù)方案是：
[0005] -種電子產(chǎn)品硅膠復(fù)合材料，包括由上到下依次復(fù)合連接的表面硅膠層（1)、中間 硅膠層(2)以及基材(3)。
[0006] 優(yōu)選的:所述基材(3)包括由PC、PET、ABS及其他一些材料制成的片材、薄膜。
[0007 ]優(yōu)選的:所述表面硅膠層（1 )、中間硅膠層(2)均由加成型液體硅膠硫化而成。
[0008] 優(yōu)選的:所述中間硅膠層(2)的厚度在0.01~0.05mm。
[0009] 優(yōu)選的:所述表面硅膠層(1)的厚度在0.10~0.30mm。
[0010] -種電子產(chǎn)品硅膠復(fù)合材料的制備方法，包括以下步驟：
[0011] a，將形成表面硅膠層（1)的加成型液體硅膠涂覆于離型紙或離型膜上，厚度控制 在0.01~0.05mm，在50~180 °C溫度下硫化1~20分鐘，得到表面硅膠層（1)。
[0012] b，將中間硅膠層(2)的加成型液體硅膠涂覆于已硫化的表面硅膠層（1)上，厚度控 制在0.10~0.30mm，在50~180°C溫度下硫化1~20分鐘。
[0013] c，將中間硅膠層(2)的加成型液體硅膠涂覆于步驟b已硫化的硅膠層上，貼合基材 (3)，在50~180°C溫度下硫化1~20分鐘，剝離離型紙或離型膜，即可制得電子產(chǎn)品硅膠復(fù) 合材料。
[0014] 本發(fā)明的一種電子產(chǎn)品硅膠復(fù)合材料及制備方法，相比現(xiàn)有技術(shù)，具有以下有益 效果：
[0015] 本發(fā)明制備的硅膠復(fù)合材料可以沖壓成各種形狀，作為電子產(chǎn)品專用復(fù)合材料， 不僅強(qiáng)度高，而且防污、防塵、耐磨、耐刮傷、外觀優(yōu)美，制備方法簡單無污染。
【附圖說明】
[0016] 圖1是本發(fā)明實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0017] 附圖非限制性地公開了本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，以下將結(jié)合附圖詳 細(xì)地說明本發(fā)明的技術(shù)方案。
[0018] 實(shí)施例1
[0019] 本實(shí)施例的一種電子產(chǎn)品硅膠復(fù)合材料，如圖1所示，包括由上到下依次復(fù)合連接 的表面硅膠層1、中間硅膠層2以及基材3。
[0020] 所述基材3為0.10mm厚的PET薄膜。當(dāng)然由PC、ABS及其他一些材料制成的片材、薄 膜制作的基材也可。
[0021 ]所述表面硅膠層（1 )、中間硅膠層(2)均由加成型硅膠硫化而成。
[0022] 所述表面硅膠層1采用的成分和重量配比如下： lOOOOmpa. s側(cè)鏈乙烯基硅油，其中，Vi=2. 0% 65g；： 球形硅樹脂 5g; 白炭黑 CA200): 25g；
[0023] 含氫量為1. 6%含氫硅油 5g: 怕金催化劑，其中，Pt在催化劑中的含量為3000ppm, (X3g; 甲基丁塊醇 〇.〇5g:； 黑色膏 :5.g.〇'
[0024] 所述中間硅膠層2采用的成分和重量配比如下： lOOOOmpa. s端乙烯基硅油 68g; 白.炭黑（A200) 25g； 含氫量為0. 75%含氫硅油 2g_;
[0025] 鉬金催化劑，其中，Pt在催化劑中的含量為3〇〇〇ppm，〇.3g; 甲基丁炔醇 0. Q5g; 黑色膏 5g。 YEP-A (增粘劑，子鈞化工生產(chǎn)) l：g
[0026] 乙烯基聚硅氧烷為至少兩個(gè)乙烯基直接與Si相連的聚硅氧烷，所述乙烯基位于該 聚硅氧烷的鏈端或側(cè)鏈即可。
[0027] 含氫聚硅氧烷為至少有3個(gè)氫原子與Si直接相連的聚硅氧烷，所述氫原子位于聚 硅氧烷的鏈端或側(cè)鏈，或鏈端與側(cè)鏈同時(shí)含有與Si直接相連的氫原子，所述氫原子的質(zhì)量 在含氫聚硅氧烷中占〇. 1~1.6% ;所述含氫聚硅氧烷為直鏈狀、枝狀、環(huán)狀的聚硅氧烷中的 一種或兩種以上的混合物即可。
[0028] 填料為氣相法白炭黑、沉淀法白炭黑、硅樹脂、硅微粉、碳酸鈣、鋁硅酸鹽、硅澡土、 氧化鋁、氫氧化鋁、氫氧化鎂、二氧化鈦中的一種或兩種以上的混合物即可，
[0029] 鉑系催化劑為氯鉑酸異丙醇溶液、氯鉑酸四氫呋喃溶液、氯鉑酸-二乙烯基四甲基 二硅氧烷配合物、氯鉑酸-1、3、5、7-四乙烯基-1、3、5、7-四甲基-環(huán)四硅氧烷中的一種或兩 種以上的混合物;所述鉑金催化劑中Pt原子的含量為100~500000ppm即可，
[0030] 延遲劑為甲基丁炔醇、乙炔基環(huán)己醇、含炔基的馬來酸或其衍生物、含炔基的富馬 來酸或其衍生物、多乙烯基聚硅氧烷、吡啶、不飽和酰胺類、有機(jī)膦或亞磷酸酯中的一種或 兩種以上的混合物即可。
[0031]所述表面硅膠層1的厚度在0.05mm。
[0032]所述中間硅膠層2的厚度在0.10mm。
[0033 ] -種電子產(chǎn)品硅膠復(fù)合材料的制備方法，包括以下步驟：
[0034] a，將形成表面硅膠層1的加成型液體硅膠涂覆于離型紙上，厚度控制在0.05mm，在 130°C溫度下硫化10分鐘，得到表面硅膠層1。通常硫化條件在50~180°C溫度下硫化1~20 分鐘即可。
[0035] b，將中間硅膠層2的加成型液體硅膠涂覆于已硫化的表面硅膠層1上，厚度控制在 0.10mm，在130°C溫度下硫化5分鐘:通常硫化條件在50~180°C溫度下硫化1~20分鐘即可。 [0036] c.將中間硅膠層2的加成型液體硅膠涂覆于已硫化的中間硅膠層2上，厚度控制在 0.05mm，貼合基材3，在130 °C溫度下硫化10分鐘，剝離離型紙，即可制得0.20mm厚硅膠與 0.10mm厚PET薄膜復(fù)合而成的復(fù)合材料，可用于電子產(chǎn)品。
[0037] 實(shí)施例2
[0038] 本實(shí)施例與實(shí)施例1的不同之處在于：
[0039] 所述表面硅膠層（1)采用的成分和重量配比如下：
[0040] lOOOOmpa.s側(cè)鏈乙烯基硅油，其中，Vi = 2.0% 60克；
[0041 ] 球形硅樹脂5克
[0042]白炭黑(A200) 25克；
[0043] 含氫聚硅氧烷，1.6 %含氫硅油，2克；
[0044] 鉑系催化劑，其中，Pt在催化劑中的含量為300000ppm，0.0005克；
[0045] 甲基丁炔醇0.001克；；
[0046] 色膏 0克。
[0047] 所述中間硅膠層(2)采用的成分和重量配比如下：
[0048] lOOOOmpa.s側(cè)鏈乙烯基硅油，其中，Vi = 2.0% 60克；
[0049] 球形硅樹脂5克
[0050]白炭黑(A200) 25克；
[0051 ] 含氫聚硅氧烷，1.6%含氫硅油，2克；
[0052] 鉑系催化劑，其中，Pt在催化劑中的含量為300000ppm，0.0005克；
[0053] 甲基丁炔醇0.001克；；
[0054] 色膏 0克；
[0055] YEP-A 增粘劑 0.5克。
[0056] 實(shí)施例3
[0057] 本實(shí)施例與實(shí)施例1的不同之處在于：
[0058] 所述表面硅膠層（1)采用的成分和重量配比如下：
[0059] lOOOOmpa.s側(cè)鏈乙烯基硅油，其中，Vi = 2.0% 70克；
[0060] 球形硅樹脂10克
[0061] 白炭黑(A200) 30克；
[0062] 含氫聚硅氧烷，1.6 %含氫硅