一種高背反射晶硅太陽電池的制作工藝的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種高背反射晶硅太陽電池的制作工藝，屬于太陽能電池片制備領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]太陽能電池片向越來越薄的方向發(fā)展，但電池片太薄會導(dǎo)致長波光子透過電池片造成效率損失，傳統(tǒng)太陽能電池生產(chǎn)中，電池背面需印刷鋁漿以形成背電場，背電場有較好的鈍化效果，但背反射效果不佳。。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于提供一種在保證背電場鈍化效果的前提下增加背面反射，從而增加長波光子的吸收，以達到提升效率的目的。
[0004]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:一種高背反射晶硅太陽電池的制作工藝，其特征在于采用以下順序工藝步驟制得:
(1)將體壽命$父尚的晶娃娃片進彳丁制域，降低表面反射率；
(2)將制絨后硅片進行磷擴散，形成PN結(jié)；
(3)將擴散后硅片進行濕法刻蝕，去除背面N+層；
(4)將刻蝕后硅片正面采用板式等離子增強化學(xué)氣相沉積法鍍SINx膜；
(5)將鍍膜后的硅片背面印刷鋁漿，并燒結(jié)形成背電場；
(6)將形成背電場的硅片使用酸溶液洗去背面鋁漿，只留下背電場；
(7)將洗去鋁漿的硅片背面采用板式等離子增強化學(xué)氣相沉積鍍SINx膜；
(8)將背面鍍膜的硅片進行激光加工，在硅片背面進行線狀氮化硅去除；
(9)將鍍膜后的硅片印刷正電極和背電極，背電極為在激光加工處的線狀鋁柵；
(10)將印刷電極的硅片燒結(jié)測試。
[0005]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下有益效果:本發(fā)明的優(yōu)勢在于通過在背面生長SINx膜，增加正面長波光子的反射形成二次吸收，本發(fā)明的背場印刷為全鋁背場印刷，鋁漿覆蓋整個背面，鈍化面積比正常電池片鈍化面積大620 mm 2，開壓提升5mA ;背面鍍的SINx膜0.9~1.1 μπι波長的長波干涉相消效果明顯，對短路電流由較大增益，提升156mA。
【具體實施方式】
[0006]—種高背反射晶硅太陽電池的制作工藝，其特征在于采用以下順序工藝步驟制得:
(1)將體壽命$父尚的晶娃娃片進彳丁制域，降低表面反射率；
(2)將制絨后硅片進行磷擴散，形成PN結(jié)；
(3)將擴散后硅片進行濕法刻蝕，去除背面N+層；
(4)將刻蝕后硅片正面采用板式等離子增強化學(xué)氣相沉積法鍍SINx膜； (5)將鍍膜后的硅片背面印刷鋁漿，并燒結(jié)形成背電場；
(6)將形成背電場的硅片使用酸溶液洗去背面鋁漿，只留下背電場；
(7)將洗去鋁漿的硅片背面采用板式等離子增強化學(xué)氣相沉積鍍SINx膜；
(8)將背面鍍膜的硅片進行激光加工，在硅片背面進行線狀氮化硅去除；
(9)將鍍膜后的硅片印刷正電極和背電極，背電極為在激光加工處的線狀鋁柵；
(10)將印刷電極的硅片燒結(jié)測試，本發(fā)明的優(yōu)勢在于通過在背面生長SINx膜，增加正面長波光子的反射形成二次吸收，本發(fā)明的背場印刷為全鋁背場印刷，鋁漿覆蓋整個背面，鈍化面積比正常電池片鈍化面積大620 mm 2，開壓提升5mA ;背面鍍的SINx膜
0.9-1.1 μπι波長的長波干涉相消效果明顯，對短路電流由較大增益，提升156mA。
[0007]顯而易見，上述實施方式僅為本發(fā)明的較佳實施方式，任何在此基礎(chǔ)上的簡單改進均屬于本發(fā)明的保護范圍。
【主權(quán)項】
1.一種高背反射晶硅太陽電池的制作工藝，其特征在于采用以下順序工藝步驟制得:(1)將體壽命$父尚的晶娃娃片進彳丁制域，降低表面反射率；(2)將制絨后硅片進行磷擴散，形成PN結(jié)；(3)將擴散后硅片進行濕法刻蝕，去除背面N+層；(4)將刻蝕后硅片正面采用板式等離子增強化學(xué)氣相沉積法鍍SINx膜；(5)將鍍膜后的硅片背面印刷鋁漿，并燒結(jié)形成背電場；(6)將形成背電場的硅片使用酸溶液洗去背面鋁漿，只留下背電場；(7)將洗去鋁漿的硅片背面采用板式等離子增強化學(xué)氣相沉積鍍SINx膜；(8)將背面鍍膜的硅片進行激光加工，在硅片背面進行線狀氮化硅去除；(9)將鍍膜后的硅片印刷正電極和背電極，背電極為在激光加工處的線狀鋁柵；(10)將印刷后的硅片燒結(jié)測試。
【專利摘要】一種高背反射晶硅太陽電池的制作工藝,采用以下順序工藝步驟制得：（1）將體壽命較高的晶硅硅片進行制絨，降低表面反射率；（2）將制絨后硅片進行磷擴散，形成PN結(jié)；（3）將擴散后硅片進行濕法刻蝕，去除背面N+層；（4）將刻蝕后硅片正面采用板式等離子增強化學(xué)氣相沉積法鍍SINx膜；（5）將鍍膜后的硅片背面印刷鋁漿，并燒結(jié)形成背電場；（6）將形成背電場的硅片使用酸溶液洗去背面鋁漿，只留下背電場；（7）將洗去鋁漿的硅片背面采用板式等離子增強化學(xué)氣相沉積鍍SINx膜；（8）將背面鍍膜的硅片進行激光加工，在硅片背面進行線狀氮化硅去除；（9）將鍍膜后的硅片印刷正電極和背電極，背電極為在激光加工處的線狀鋁柵，本發(fā)明的優(yōu)勢在于通過在背面生長SINx膜，增加正面長波光子的反射形成二次吸收。
【IPC分類】H01L31/18
【公開號】CN105655439
【申請?zhí)枴?br>【發(fā)明人】孫廣印, 孟祥海, 錢金梁, 李旺, 陳斌, 王步峰
【申請人】潤峰電力有限公司
【公開日】2016年6月8日
【申請日】2014年11月28日