一種設(shè)有扇形電極的太陽能組件制造工藝的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種設(shè)有扇形電極的太陽能組件制造工藝。
【背景技術(shù)】
[0002]眾所周知，現(xiàn)有的光伏組件在絲印工藝中將電極印刷到單片的兩面，這樣的電極設(shè)置無論電極柵線做的如何細都會阻擋部分太陽光的入射；單片在摻雜過程中溫度過高容易被氧化。現(xiàn)有技術(shù)急需一種能夠提高太陽光透射率的設(shè)有扇形電極的太陽能組件制造工藝。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷，提供一種能夠提高太陽光透射率的設(shè)有扇形電極的太陽能組件制造工藝。
[0004]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是提供了一種設(shè)有扇形電極的太陽能組件制造工藝，其工藝包括清洗、制絨、摻雜、印刷、燒結(jié)、單片測試，光伏電池片正、負極的焊接，疊層，光伏電池組片檢測，層壓固化，組框的工藝過程；單片為圓形，單片背面設(shè)有正電極和負電極，所述正電極呈米字形設(shè)置在單晶硅片的中心，所述負電極設(shè)置在正電極劃分的扇形區(qū)域內(nèi)，所述負電極以單晶硅片圓心呈中心對稱設(shè)置；所述負電極呈扇形設(shè)置；所述正電極從中心向外寬度逐漸減小。
[0005]作為優(yōu)選地，在制絨工藝中，先要在反應(yīng)槽內(nèi)放清水至固定刻度，然后添加氫氧化鈉和硅酸鈉，待反應(yīng)結(jié)束后將單片快速放入甩干機，甩干機轉(zhuǎn)速為445r/m，時間為5m，溫度為120°C ;并在甩干過程中進行高純度高速噴氮。
[0006]本發(fā)明的優(yōu)點和有益效果在于:通過本發(fā)明所述的工藝可以提高太陽光透射率，同時防止單片在摻雜工藝中氧化。
【具體實施方式】
[0007]下面結(jié)合實施例，對本發(fā)明的【具體實施方式】作進一步描述。以下實施例僅用于更加清楚地說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而不能以此來限制本發(fā)明的保護范圍。
[0008]一種設(shè)有扇形電極的太陽能組件制造工藝，其工藝包括清洗、制絨、摻雜、印刷、燒結(jié)、單片測試，光伏電池片正、負極的焊接，疊層，光伏電池組片檢測，層壓固化，組框的工藝過程。
[0009]單片為圓形，單片背面設(shè)有正電極和負電極，所述正電極呈米字形設(shè)置在單晶硅片的中心，所述負電極設(shè)置在正電極劃分的扇形區(qū)域內(nèi)，所述負電極以單晶硅片圓心呈中心對稱設(shè)置；所述負電極呈扇形設(shè)置；所述正電極從中心向外寬度逐漸減小。
[0010]在制絨工藝中，先要在反應(yīng)槽內(nèi)放清水至固定刻度，然后添加氫氧化鈉和硅酸鈉，待反應(yīng)結(jié)束后將單片快速放入甩干機，甩干機轉(zhuǎn)速為445r/m，時間為5m，溫度為120°C ；并在甩干過程中進行高純度高速噴氮。
[0011]上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應(yīng)視為發(fā)明的保護范圍。
【主權(quán)項】
1.一種設(shè)有扇形電極的太陽能組件制造工藝，其特征在于:其工藝包括清洗、制絨、摻雜、印ffiij、燒結(jié)、單片測試，光伏電池片正、負極的焊接，疊層，光伏電池組片檢測，層壓固化，組框的工藝過程；單片為圓形，單片背面設(shè)有正電極和負電極，所述正電極呈米字形設(shè)置在單晶硅片的中心，所述負電極設(shè)置在正電極劃分的扇形區(qū)域內(nèi)，所述負電極以單晶硅片圓心呈中心對稱設(shè)置；所述負電極呈扇形設(shè)置；所述正電極從中心向外寬度逐漸減小。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)有扇形電極的太陽能組件制造工藝，其特征在于:在摻雜工藝中，先要在反應(yīng)槽內(nèi)放清水至固定刻度，然后添加氫氧化鈉和硅酸鈉，待反應(yīng)結(jié)束后將單片快速放入甩干機，甩干機轉(zhuǎn)速為445r/m，時間為5m，溫度為120°C ;并在甩干過程中進打1?純度1?速噴氣。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種設(shè)有扇形電極的太陽能組件制造工藝，其工藝包括清洗、制絨、摻雜、印刷、燒結(jié)、單片測試，光伏電池片正、負極的焊接，疊層，光伏電池組片檢測，層壓固化，組框的工藝過程；單片為圓形，單片背面設(shè)有正電極和負電極，所述正電極呈米字形設(shè)置在單晶硅片的中心，所述負電極設(shè)置在正電極劃分的扇形區(qū)域內(nèi)，所述負電極以單晶硅片圓心呈中心對稱設(shè)置；所述負電極呈扇形設(shè)置；所述正電極從中心向外寬度逐漸減小。通過本發(fā)明所述的工藝可以提高太陽光透射率，同時防止單片在摻雜工藝中氧化。
【IPC分類】H01L31/18, H01L31/0224
【公開號】CN105655440
【申請?zhí)枴?br>【發(fā)明人】李向清
【申請人】江蘇愛多光伏科技有限公司
【公開日】2016年6月8日
【申請日】2014年11月28日