3d顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種3D顯示裝置，該3D顯示裝置采用微發(fā)光二極管顯示裝置來顯示圖像，并在微發(fā)光二極管顯示裝置的出光面一側設置微透鏡封裝陣列層(4)，該微透鏡封裝陣列層(4)同時具備對微發(fā)光二極管(2)進行封裝保護和區(qū)分左右眼圖像實現3D顯示的作用，利用該多功能的微透鏡封裝陣列層(4)能夠在簡化微發(fā)光二極管3D顯示裝置結構的同時實現裸眼3D顯示，降低生產成本，提升顯示品質。
【專利說明】
3D顯示裝置
技術領域
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種3D顯示裝置。
【背景技術】
[0002]平面顯示裝置因具有高畫質、省電、機身薄及應用范圍廣等優(yōu)點，而被廣泛的應用于手機、電視、個人數字助理、數字相機、筆記本電腦、臺式計算機等各種消費性電子產品，成為顯示裝置中的主流。
[0003]微發(fā)光二極管(Micro LED，yLED)顯示器是一種以在一個基板上集成的高密度微小尺寸的LED陣列作為顯示像素來實現圖像顯示的顯示器，同大尺寸的戶外LED顯示屏一樣，每一個像素可定址、單獨驅動點亮，可以看成是戶外LED顯示屏的縮小版，將像素點距離從毫米級降低至微米級，yLED顯示器和有機發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting D1de，0LED)顯示器一樣屬于自發(fā)光顯示器，但yLED顯示器相比OLED顯示器還具有材料穩(wěn)定性更好、壽命更長、無影像烙印等優(yōu)點，被認為是OLED顯示器的最大競爭對手。
[0004]微轉印(Micro Transfer Printing)技術是目前制備yLED顯示裝置的主流方法，具體制備過程為:首先在藍寶石類基板生長出微發(fā)光二極管，然后通過激光剝離技術(Laser lift-off，LL0)將微發(fā)光二極管裸芯片(bare chip)從藍寶石類基板上分離開，隨后使用一個圖案化的聚二甲基娃氧燒(Polydimethylsi loxane，PDMS)傳送頭將微發(fā)光二極管裸芯片從藍寶石類基板吸附起來，并將PDMS傳送頭與接收基板進行對位，隨后將TOMS傳送頭所吸附的微發(fā)光二極管裸芯片貼附到接收基板上預設的位置，再剝離TOMS傳送頭，SP可完成將微發(fā)光二極管裸芯片轉移到接收基板上，進而制得yLED顯示裝置。需要補充說明的是，在微轉印完成之后，接收基板上的微發(fā)光二極管裸芯片是裸露在外的，為了隔絕水汽保護微發(fā)光二極管裸芯片不被破壞，通常還需要對微發(fā)光二極管裸芯片進行封裝，一般是在微發(fā)光二極管裸芯片上旋涂一層有機聚合物封裝材料來實現微發(fā)光二極管裸芯片的封裝，以完成對微發(fā)光二極管裸芯片進行封裝保護。
[0005]基于微透鏡陣列的三維(Three Dimens1nal，3D)顯示裝置是一種無需任何助視設備的3D顯示裝置，通常包括:2D顯示面板、以及設于所述2D顯示面板出光面一側的微透鏡陣列;其中，2D顯示面板用于提供來自同一立體場景的多幅視差圖像，微透鏡陣列利用光折射作用，將這些視差圖像在空間方向上進行分開，形成不同的視點。當觀看者雙眼分別處于不同的視點時，就能夠觀看到對應的視差圖像，從而實現立體感觀。
【發(fā)明內容】
[0006]本發(fā)明的目的在于提供一種3D顯示裝置，簡化微發(fā)光二極管3D顯示裝置的結構，實現裸眼3D顯示，同時降低生產成本。
[0007]為實現上述目的，本發(fā)明提供了一種3D顯示裝置，包括:基板、設于所述基板上的陣列排布的多個微發(fā)光二極管、設于所述多個微發(fā)光二極管上的介質層、及設于所述介質層上的微透鏡封裝陣列層；
[0008]所述介質層為透明介質；
[0009]所述微透鏡封裝陣列層對所述微發(fā)光二極管進行封裝保護，并將位于基板的各個不同位置上的微發(fā)光二極管發(fā)出的光線折射到不同的空間方向上，形成分別對應觀看者左眼和右眼的兩個視點，從而實現3D顯示。
[0010]所述微透鏡封裝陣列層采用半導體材料、重鉻酸銨明膠、或樹脂類材料制備。
[0011 ]所述微透鏡封裝陣列層采用光刻膠熱熔法制備。
[0012]所述微透鏡封裝陣列層包括:陣列排布的多個微透鏡單元，所述微透鏡單元的形狀為半球形。
[0013]所述多個微發(fā)光二極管包括:紅色微發(fā)光二極管、綠色微發(fā)光二極管、及藍色微發(fā)光二極管。
[0014]所述多個微發(fā)光二極管采用微轉印的方法制得。
[0015]所述基板與所述多個微發(fā)光二極管之間設有與所述多個微發(fā)光二極管電性連接的控制電路。
[0016]所述多個微發(fā)光二極管均為GaN微發(fā)光二極管、InGaN微發(fā)光二極管、或AlGaInP微發(fā)光二極管。
[0017]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明提供了一種3D顯示裝置，該3D顯示裝置采用微發(fā)光二極管顯示裝置來顯示圖像，并在微發(fā)光二極管顯示裝置的出光面一側設置微透鏡封裝陣列層，該微透鏡封裝陣列層同時具備對微發(fā)光二極管進行封裝保護和區(qū)分左右眼圖像實現3D顯示的作用，利用該多功能的微透鏡封裝陣列層能夠在簡化微發(fā)光二極管3D顯示裝置結構的同時實現裸眼3D顯示，降低生產成本，提升顯示品質。
【附圖說明】
[0018]為了能更進一步了解本發(fā)明的特征以及技術內容，請參閱以下有關本發(fā)明的詳細說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。
[0019]附圖中，
[0020]圖1為本發(fā)明的3D顯示裝置的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0021]為更進一步闡述本發(fā)明所采取的技術手段及其效果，以下結合本發(fā)明的優(yōu)選實施例及其附圖進行詳細描述。
[0022]請參閱圖1，本發(fā)明提供了一種3D顯示裝置，包括:基板1、設于所述基板I上的陣列排布的多個微發(fā)光二極管2、設于所述多個微發(fā)光二極管2上的介質層3、及設于所述介質層3上的微透鏡封裝陣列層4。
[0023]具體地，所述介質層3為透明介質，其具有一定的厚度，使得微透鏡封裝陣列層4能夠對微發(fā)光二極管2發(fā)出的光線進行分光，實現3D顯不。
[0024]需要說明的是，所述微透鏡封裝陣列層4同時具有兩個作用，第一個作用為對所述微發(fā)光二極管2進行封裝保護，防止水汽破壞微發(fā)光二極管2的內部結構，延長微發(fā)光二極管2的壽命，第二個作用為實現3D顯示，通過微透鏡封裝陣列層4將位于基板I的各個不同位置上的微發(fā)光二極管2發(fā)出的光線折射到不同的空間方向上，形成分別對應觀看者左眼和右眼的兩個視點，從而實現3D顯示。進一步地，觀看者的左眼和右眼分別接收由位于基板I的各個不同位置上的微發(fā)光二極管2顯示的同一個立體場景的不同視差圖像，經視覺中樞的立體融合獲得立體感。
[0025]具體地，所述微透鏡封裝陣列層4可選擇磷化銦(InP)等半導體材料、或重鉻酸銨明膠、或樹脂類材料制備。所述微透鏡封裝陣列層4包括:陣列排布的多個微透鏡單元41，優(yōu)選地，所述微透鏡單元41的形狀為半球形。
[0026]具體地，所述微透鏡封裝陣列層4可采用光刻膠熱熔法制備，具體操作過程為:首先在一襯底上涂布一定厚度的光刻膠，隨后對所述光刻膠進行曝光和顯影形成具有圓柱陣列圖案的光刻膠層，再將所述光刻膠層加熱至熔融狀態(tài)，其表面張力將圓柱形結構轉變成光滑的半球形結構，最后再通過反應離子刻蝕將光刻膠微透鏡圖案轉移至其它載體上，制得微透鏡陣列。
[0027]值得一提的是，所述多個微發(fā)光二極管2可通過微轉印的方法制得，具體操作過程如下:首先提供一原生基板，在所述原生基板上生成多個微發(fā)光二極管2，再通過一微轉印傳送頭將所述多個微發(fā)光二極管2轉印到基板I上;所述原生基板為藍寶石類基板。優(yōu)選地，所述多個微發(fā)光二極管2均為氮化鎵(GaN)微發(fā)光二極管、氮化銦鎵(InGaN)微發(fā)光二極管、或磷化鋁鎵銦(AlGaInP)微發(fā)光二極管，所述基板I為玻璃基板。
[0028]具體地，所述多個微發(fā)光二極管2包括:紅色微發(fā)光二極管、綠色微發(fā)光二極管、及藍色微發(fā)光二極管，一紅色微發(fā)光二極管、一綠色微發(fā)光二極管、及一藍色微發(fā)光二極管構成一個顯示像素。
[0029]值得一提的是，所述基板I與所述多個微發(fā)光二極管2之間設有與所述多個微發(fā)光二極管2電性連接的控制電路，所述控制電路包括對應所述多個微發(fā)光二極管2設置的多個薄膜晶體管，通過所述控制電路驅動所述多個微發(fā)光二極管2發(fā)光，以顯示圖像。
[0030]綜上所述，本發(fā)明提供了一種3D顯示裝置，該3D顯示裝置采用微發(fā)光二極管顯示裝置來顯示圖像，并在微發(fā)光二極管顯示裝置的出光面一側設置微透鏡封裝陣列層，該微透鏡封裝陣列層同時具備對微發(fā)光二極管進行封裝保護和區(qū)分左右眼圖像實現3D顯示的作用，利用該多功能的微透鏡封裝陣列層能夠在簡化微發(fā)光二極管3D顯示裝置結構的同時實現裸眼3D顯示，降低生產成本，提升顯示品質。
[0031]以上所述，對于本領域的普通技術人員來說，可以根據本發(fā)明的技術方案和技術構思作出其他各種相應的改變和變形，而所有這些改變和變形都應屬于本發(fā)明權利要求的保護范圍。
【主權項】
1.一種3D顯示裝置，其特征在于，包括:基板(I)、設于所述基板(I)上的陣列排布的多個微發(fā)光二極管(2)、設于所述多個微發(fā)光二極管(2)上的介質層(3)、及設于所述介質層(3)上的微透鏡封裝陣列層(4); 所述介質層(3)為透明介質； 所述微透鏡封裝陣列層(4)對所述微發(fā)光二極管(2)進行封裝保護，并將位于基板(I)的各個不同位置上的微發(fā)光二極管(2)發(fā)出的光線折射到不同的空間方向上，形成分別對應觀看者左眼和右眼的兩個視點，從而實現3D顯不。2.如權利要求1所述的3D顯示裝置，其特征在于，所述微透鏡封裝陣列層(4)采用半導體材料、重鉻酸銨明膠、或樹脂類材料制備。3.如權利要求1所述的3D顯示裝置，其特征在于，所述微透鏡封裝陣列層(4)采用光刻膠熱熔法制備。4.如權利要求1所述的3D顯示裝置，其特征在于，所述微透鏡封裝陣列層(4)包括:陣列排布的多個微透鏡單元(41)，所述微透鏡單元(41)的形狀為半球形。5.如權利要求1所述的3D顯示裝置，其特征在于，所述多個微發(fā)光二極管(2)包括:紅色微發(fā)光二極管、綠色微發(fā)光二極管、及藍色微發(fā)光二極管。6.如權利要求1所述的3D顯示裝置，其特征在于，所述多個微發(fā)光二極管(2)采用微轉印的方法制得。7.如權利要求1所述的3D顯示裝置，其特征在于，所述基板(I)與所述多個微發(fā)光二極管(2)之間設有與所述多個微發(fā)光二極管(2)電性連接的控制電路。8.如權利要求1所述的3D顯示裝置，其特征在于，所述多個微發(fā)光二極管(2)均為GaN微發(fā)光二極管、InGaN微發(fā)光二極管、或AlGaInP微發(fā)光二極管。
【文檔編號】G02B27/22GK105929552SQ201610454894
【公開日】2016年9月7日
【申請日】2016年6月22日
【發(fā)明人】陳黎暄
【申請人】深圳市華星光電技術有限公司