陶瓷插座及to封裝器件老化夾具的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及老化夾具，尤其涉及一種陶瓷插座及TO封裝器件老化夾具。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，市場(chǎng)上比較常見的是獨(dú)立的老化插座，其結(jié)構(gòu)主要由工程塑料和接觸件組成，其主要作用是用于放置TO封裝芯片器件。而這獨(dú)立的老化插座插拔芯片也不方便，不容易對(duì)準(zhǔn)，或者容易將芯片的引腳折斷。
[0003]隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，芯片器件的需求數(shù)量在不斷增大，同時(shí)芯片的質(zhì)量要求也在不斷提高，因此將多個(gè)老化插座固定在電路板上，通過高溫電纜與電路連通進(jìn)行老化的夾具裝置應(yīng)運(yùn)而生。但受限于電路板的板材問題，常用電路板的FR4板材最高能長期正常工作在150°C左右，某些特殊板材如:鋁基板、銅基板、羅杰斯等板材也只是短時(shí)間能工作在200°C左右；而且，老化插座長期工作在高溫下，工程塑料與接觸件、接觸件與老化芯片器件之間的接觸可靠性會(huì)有所降低，嚴(yán)重影響芯片的老化測(cè)試質(zhì)量。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題在于針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的老化夾具不能長期高溫工作，且老化芯片的引腳插拔不方便的缺陷，提供一種持續(xù)耐高溫且插拔方便的陶瓷插座及TO封裝器件老化夾具。
[0005]本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:
[0006]提供一種陶瓷插座，用于插接老化芯片，該陶瓷插座上設(shè)有多個(gè)插孔，插孔內(nèi)插有接觸件，該接觸件的上方為敞口狀，下方合成一個(gè)引腳，該引腳伸出所述插孔。
[0007]本實(shí)用新型所述的陶瓷插座中，所述接觸件為銅質(zhì)材料制成，表面鍍金。
[0008]本實(shí)用新型所述的陶瓷插座中，所述接觸件為Y型或X型接觸件。
[0009]本實(shí)用新型所述的陶瓷插座中，所述陶瓷插座為柱狀結(jié)構(gòu)。
[0010]本實(shí)用新型所述的陶瓷插座中，所述插孔均勻分布在所述陶瓷插座中心的周圍。
[0011]本實(shí)用新型還提供了一種TO封裝器件老化夾具，包括:
[0012]陶瓷基電路板，其背面設(shè)有老化測(cè)試電路，該陶瓷基電路板上還設(shè)有多組插孔；
[0013]多個(gè)陶瓷插座，所述陶瓷插座為上述技術(shù)方案中的陶瓷插座，其設(shè)置在所述陶瓷基電路板正面，每個(gè)陶瓷插座上設(shè)有多個(gè)插孔，插孔內(nèi)插有接觸件，老化測(cè)試芯片的引腳通過該接觸件與老化測(cè)試電路連接；
[0014]高溫電纜，其一端連通老化測(cè)試電路，另一端連接老化測(cè)試系統(tǒng)。
[0015]本實(shí)用新型所述的TO封裝器件老化夾具中，該老化夾具還包括外殼，所述陶瓷基電路板固定在該外殼上。
[0016]本實(shí)用新型所述的TO封裝器件老化夾具中，所述外殼上設(shè)有內(nèi)插槽，所述陶瓷基電路板通過該內(nèi)插槽固定在該外殼上。
[0017]本實(shí)用新型所述的TO封裝器件老化夾具中，所述外殼底部設(shè)有支撐柱，所述陶瓷基電路板通過該支撐柱支撐。
[0018]本實(shí)用新型所述的TO封裝器件老化夾具中，所述外殼的一側(cè)邊緣安裝有管卡固定板，其上安裝有管卡，所述高溫電纜通過所述管卡鎖緊。
[0019]本實(shí)用新型產(chǎn)生的有益效果是:本實(shí)用新型的陶瓷插座上設(shè)有多個(gè)插孔，插孔內(nèi)插有接觸件，該接觸件的上方為敞口狀，便于老化芯片引腳的插入。TO封裝器件老化夾具包括陶瓷基電路板、多個(gè)陶瓷插座和高溫電纜，將插接芯片的插座和電路板均用陶瓷制成，使其可長期工作在高溫環(huán)境中。
【附圖說明】
[0020]下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明，附圖中:
[0021]圖1是本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例陶瓷插座的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖2是本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例接觸件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖3是本實(shí)用新型另一實(shí)施例陶瓷插座的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖4是本實(shí)用新型第三實(shí)施例陶瓷插座的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖5是本實(shí)用新型第四實(shí)施例陶瓷插座的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖6是本實(shí)用新型實(shí)施例TO封裝器件老化夾具的立體圖；
[0027]圖7是本實(shí)用新型實(shí)施例TO封裝器件老化夾具的主視圖；
[0028]圖8是本實(shí)用新型實(shí)施例TO封裝器件老化夾具的結(jié)構(gòu)示意圖一；
[0029]圖9是本實(shí)用新型實(shí)施例TO封裝器件老化夾具的結(jié)構(gòu)示意圖二 ；
[0030]圖10是本實(shí)用新型實(shí)施例TO封裝器件老化夾具外殼的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0031]為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。
[0032]本實(shí)用新型實(shí)施例的陶瓷插座，用于插拔老化芯片。如圖1所示，該陶瓷插座8上設(shè)有多個(gè)插孔81，插孔內(nèi)插有接觸件82。該接觸件82的上方為敞口狀，下方合成一個(gè)引腳，該引腳伸出所述插孔81。老化芯片插接在該接觸件82上。接觸件82的頂部敞開，便于老化芯片的引腳直接插入。
[0033]接觸件82用于插入老化芯片的引腳。本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，所述接觸件82為銅質(zhì)材料制成，表面采用鍍金工藝。接觸件82的底部的引腳伸至陶瓷插座外，以便于與電路板的焊接。由于有接觸件82可以直接焊接在電路板上，因此不需要其他的固定件將接觸件82固定。
[0034]所述接觸件82可設(shè)為上大下小，如圖2所示，可以為Y型或X型接觸件。當(dāng)然也可以將頂部設(shè)為U型，只要頂部敞口較大方便老化芯片的引腳插入即可。
[0035]所述陶瓷插座8為柱狀結(jié)構(gòu)，如圖3-5所示，可以為圓柱體，也可以為多邊形的立柱機(jī)構(gòu)。插孔81的個(gè)數(shù)根據(jù)老化芯片的引腳個(gè)數(shù)確定。
[0036]如圖1和圖3-5所示，所述插孔81均勻分布在所述陶瓷插座中心的周圍，其具體分布也是根據(jù)老化芯片的引腳分布確定。
[0037]為了同時(shí)測(cè)量多個(gè)老化芯片，可以將上述實(shí)施例的陶瓷插座插接在一個(gè)電路板上。如圖6所示，為本實(shí)用新型實(shí)施例的TO封裝器件老化夾具，包括:
[0038]陶瓷基電路板3，其背面設(shè)有老化測(cè)試電路，該陶瓷基電路板3上還設(shè)有多組插孔；
[0039]多個(gè)陶瓷插座8，所述陶瓷插座8為上述實(shí)施例的陶瓷插座，其設(shè)置在所述陶瓷基電路板3正面，每個(gè)陶瓷插座8上設(shè)有多個(gè)插孔81，插孔81內(nèi)插有接觸件82，老化測(cè)試芯片2的引腳通過該接觸件與老化測(cè)試電路連接。所述陶瓷基電路板3上可焊接多組陶瓷插座8，具體數(shù)量可根據(jù)實(shí)際需要決定。
[0040]高溫電纜6，其一端連通老化測(cè)試電路，另一端連接老化測(cè)試系統(tǒng)。可在陶瓷基電路板3上將所有需要連接老化測(cè)試系統(tǒng)的連接線集中到電路板的一側(cè)，然后通過高溫電纜6連接到老化測(cè)試系統(tǒng)(如用于老化測(cè)試的CPU)，高溫電纜6可通過總線接口與老化測(cè)試系統(tǒng)連接。本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，如圖8和9所示，所述外殼I的一側(cè)邊緣安裝有管卡固定板4，其上安裝有管卡5，所述高溫電纜6通過所述管卡5鎖緊，最后通過固定螺絲9將管卡5固定在管卡固定板4上。
[0041]如圖7和8所示，該老化夾具還包括外殼1，所述陶瓷基電路板3固定在該外殼I上。
[0042]本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，如圖9和圖10所示，所述外殼I上設(shè)有內(nèi)插槽，所述陶瓷基電路板3通過該內(nèi)插槽固定在該外殼I上，可使陶瓷基電路板3是更好地固定。在本實(shí)用新型的其他實(shí)施例中，陶瓷基電路板3還可以通過螺釘或者膠體與外殼I固定，因此固定方式不作限定。
[0043]為了進(jìn)一步增加陶瓷基電路板3的穩(wěn)定性，如圖9所示，還可以在所述外殼底部設(shè)置支撐柱7，所述陶瓷基電路板通過該支撐柱7支撐。
[0044]本實(shí)用新型的制作工藝如下:首先根據(jù)老化芯片2的封裝和尺寸，選擇合適規(guī)格的陶瓷插座8。第二步是將選好的陶瓷插座8用高溫焊錫絲焊接在陶瓷基電路板3上，然后將高溫電纜6按照電路定義用高溫焊錫絲焊接在陶瓷基電路板3上，具體可參考圖4。支撐柱7通過螺絲固定在外殼I內(nèi)，用于支撐陶瓷基電路板3 (如圖5所示)。最后將焊接完成的陶瓷基電路板3插入外殼的內(nèi)插槽中，高溫電纜6通過管卡5鎖在管卡固定板4上，管卡固定板4安裝在外殼I上。
[0045]本實(shí)用新型實(shí)施例中選用優(yōu)質(zhì)結(jié)構(gòu)的陶瓷插座8插拔老化芯片2，然后通過高溫焊錫絲將陶瓷插座8和高溫電纜6焊接在陶瓷基電路板3上，陶瓷基電路板3上已將每組陶瓷插座8和高溫電纜6連接，再通過高溫電纜6與老化測(cè)試系統(tǒng)(如用于老化測(cè)試的CPU)連接進(jìn)行老化測(cè)試。陶瓷插座8和陶瓷基電路板3在額定高溫下能長期正常穩(wěn)定的工作，信號(hào)或電能傳輸性能不受影響，且有較長的使用壽命。因此能克服【背景技術(shù)】中的不足，保證了此老化夾具裝置長期工作在20(TC的穩(wěn)定性。
[0046]應(yīng)當(dāng)理解的是，對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)上述說明加以改進(jìn)或變換，而所有這些改進(jìn)和變換都應(yīng)屬于本實(shí)用新型所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種陶瓷插座，用于插接老化芯片，其特征在于，該陶瓷插座上設(shè)有多個(gè)插孔，插孔內(nèi)插有接觸件，該接觸件的上方為敞口狀，下方合成一個(gè)引腳，該引腳伸出所述插孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷插座，其特征在于，所述接觸件為銅質(zhì)材料制成，表面鍍金。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陶瓷插座，其特征在于，所述接觸件為Y型或X型接觸件。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷插座，其特征在于，所述陶瓷插座為柱狀結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷插座，其特征在于，所述插孔均勻分布在所述陶瓷插座中心的周圍。
6.一種TO封裝器件老化夾具，其特征在于，包括: 陶瓷基電路板，其背面設(shè)有老化測(cè)試電路，該陶瓷基電路板上還設(shè)有多組插孔； 多個(gè)陶瓷插座，所述陶瓷插座為權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的陶瓷插座，其設(shè)置在所述陶瓷基電路板正面，每個(gè)陶瓷插座上設(shè)有多個(gè)插孔，插孔內(nèi)插有接觸件，老化測(cè)試芯片的引腳通過該接觸件與老化測(cè)試電路連接； 高溫電纜，其一端連通老化測(cè)試電路，另一端連接老化測(cè)試系統(tǒng)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的TO封裝器件老化夾具，其特征在于，該老化夾具還包括外殼，所述陶瓷基電路板固定在該外殼上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的TO封裝器件老化夾具，其特征在于，所述外殼上設(shè)有內(nèi)插槽，所述陶瓷基電路板通過該內(nèi)插槽固定在該外殼上。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的TO封裝器件老化夾具，其特征在于，所述外殼底部設(shè)有支撐柱，所述陶瓷基電路板通過該支撐柱支撐。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的TO封裝器件老化夾具，其特征在于，所述外殼的一側(cè)邊緣安裝有管卡固定板，其上安裝有管卡，所述高溫電纜通過所述管卡鎖緊。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種陶瓷插座及TO封裝器件老化夾具，其中TO封裝器件老化夾具包括：陶瓷基電路板，其背面設(shè)有老化測(cè)試電路，該陶瓷基電路板上還設(shè)有多組插孔；多個(gè)陶瓷插座，其設(shè)置在所述陶瓷基電路板正面，每個(gè)陶瓷插座上設(shè)有多個(gè)插孔，插孔內(nèi)插有接觸件，老化測(cè)試芯片的引腳通過該接觸件與老化測(cè)試電路連接；高溫電纜，其一端連通老化測(cè)試電路，另一端連接老化測(cè)試系統(tǒng)。本實(shí)用新型的陶瓷插座和陶瓷插座及TO封裝器件老化夾具更方便老化芯片的插拔，同時(shí)可長期在高溫環(huán)境下進(jìn)行高溫測(cè)試。
【IPC分類】H01R13-533, H01R33-76, H01R13-10, G01R1-04, H05K1-03
【公開號(hào)】CN204304040
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201420745718
【發(fā)明人】王輝文, 肖娜, 郭琛, 嚴(yán)黎明, 周照洋
【申請(qǐng)人】武漢雋龍科技有限公司
【公開日】2015年4月29日
【申請(qǐng)日】2014年12月2日