濺射工藝中的硅片加熱裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體加工設(shè)備，尤其是一種濺射工藝中的硅片加熱裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體生產(chǎn)用硅片在濺射加工過(guò)程中，需對(duì)硅片襯底進(jìn)行加熱處理。現(xiàn)有的加熱工藝往往采用背噴工藝，即將硅片放置于容器內(nèi)部，通過(guò)容器底部的加熱孔向硅片輸送加熱氣體，以使得硅片襯底得以加熱。然而，上述加熱工藝中，由于硅片與容器底部貼合，加熱氣體與硅片的接觸范圍受到限制，導(dǎo)致硅片襯底無(wú)法得以均勻加熱。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種濺射工藝中的硅片加熱裝置，其可使得硅片的加熱均度得以改善。
[0004]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明涉及一種濺射工藝中的硅片加熱裝置，其包括有用于放置硅片的放置盤(pán);所述放置盤(pán)的底端面設(shè)置有多個(gè)加熱孔，加熱孔連通至設(shè)置在放置盤(pán)外部的加熱管道，加熱管道連接有加熱源;所述放置盤(pán)的底端面采用弧形結(jié)構(gòu)，其朝向加熱管道進(jìn)行彎曲，放置盤(pán)的底端面設(shè)置有用于置放硅片的放置端板，放置端板沿放置盤(pán)的底端面成環(huán)形分布，且其所處高度高于放置盤(pán)的最低位置;多個(gè)加熱孔在放置端板與放置盤(pán)的最低位置之間均勻分布。
[0005]作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，所述放置端板之中設(shè)置有多個(gè)輔助加熱孔，多個(gè)輔助加熱孔沿放置端板的延伸方向均勻分布。采用上述設(shè)計(jì)，其可通過(guò)輔助加熱孔以對(duì)硅片覆蓋于放置盤(pán)之上的區(qū)域進(jìn)行加熱，以使得硅片襯底的加熱均勻性得以顯著改善。
[0006]作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，所述放置端板包括有連接于放置盤(pán)之上的連接端，以及與硅片相接觸的放置端，所述放置端的高度高于連接端的高度。采用上述設(shè)計(jì)，其可通過(guò)傾斜設(shè)置的放置端板使得硅片的邊緣保持懸空狀態(tài)，從而便于工作人員或相應(yīng)部件對(duì)其進(jìn)行抓取。
[0007]采用上述技術(shù)方案的濺射工藝中的硅片加熱裝置，其可通過(guò)放置盤(pán)底端面的弧形結(jié)構(gòu)，以及放置端板的設(shè)計(jì)，使得硅片放置于放置盤(pán)之中時(shí)，其受放置端板的支撐而使得硅片的襯底與放置盤(pán)底端面之間形成一定的空間，從而使得經(jīng)由加熱管道與加熱孔輸送至放置盤(pán)之中的加熱介質(zhì)可在上述空間內(nèi)均勻分布，進(jìn)而對(duì)硅片襯底的各個(gè)位置進(jìn)行均勻加熱，避免硅片因與放置盤(pán)的接觸而導(dǎo)致部分區(qū)域被遮蓋的現(xiàn)象。
【附圖說(shuō)明】
[0008]圖1為本發(fā)明示意圖；
[0009]附圖標(biāo)記列表:
[0010]I一放置盤(pán)、2—加熱孔、3—加熱管道、4一放置端板、41一連接端、42—放置端、5—輔助加熱孔、6—加熱源。
【具體實(shí)施方式】
[0011]下面結(jié)合【具體實(shí)施方式】，進(jìn)一步闡明本發(fā)明，應(yīng)理解下述【具體實(shí)施方式】?jī)H用于說(shuō)明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍。
[0012]實(shí)施例1
[0013]如圖1所示的一種濺射工藝中的硅片加熱裝置，其包括有用于放置硅片的放置盤(pán)I;所述放置盤(pán)I的底端面設(shè)置有多個(gè)加熱孔2，加熱孔2連通至設(shè)置在放置盤(pán)I外部的加熱管道3，加熱管道3連接有加熱源6;所述放置盤(pán)I的底端面采用弧形結(jié)構(gòu)，其朝向加熱管道3進(jìn)行彎曲，放置盤(pán)I的底端面設(shè)置有用于置放硅片的放置端板4，放置端板4沿放置盤(pán)I的底端面成環(huán)形分布，且其所處高度高于放置盤(pán)I的最低位置;多個(gè)加熱孔2在放置端板4與放置盤(pán)I的最低位置之間均勻分布。
[0014]作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，所述放置端板4之中設(shè)置有多個(gè)輔助加熱孔5，多個(gè)輔助加熱孔5沿放置端板4的延伸方向均勻分布。采用上述設(shè)計(jì)，其可通過(guò)輔助加熱孔以對(duì)硅片覆蓋于放置盤(pán)之上的區(qū)域進(jìn)行加熱，以使得硅片襯底的加熱均勻性得以顯著改善。
[0015]采用上述技術(shù)方案的濺射工藝中的硅片加熱裝置，其可通過(guò)放置盤(pán)底端面的弧形結(jié)構(gòu)，以及放置端板的設(shè)計(jì)，使得硅片放置于放置盤(pán)之中時(shí)，其受放置端板的支撐而使得硅片的襯底與放置盤(pán)底端面之間形成一定的空間，從而使得經(jīng)由加熱管道與加熱孔輸送至放置盤(pán)之中的加熱介質(zhì)可在上述空間內(nèi)均勻分布，進(jìn)而對(duì)硅片襯底的各個(gè)位置進(jìn)行均勻加熱，避免硅片因與放置盤(pán)的接觸而導(dǎo)致部分區(qū)域被遮蓋的現(xiàn)象。
[0016]實(shí)施例2
[0017]作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，所述放置端板4包括有連接于放置盤(pán)I之上的連接端41，以及與硅片相接觸的放置端42，所述放置端42的高度高于連接端41的高度。采用上述設(shè)計(jì)，其可通過(guò)傾斜設(shè)置的放置端板使得硅片的邊緣保持懸空狀態(tài)，從而便于工作人員或相應(yīng)部件對(duì)其進(jìn)行抓取。
[0018]本實(shí)施例其余特征與優(yōu)點(diǎn)均與實(shí)施例1相同。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種濺射工藝中的硅片加熱裝置，其包括有用于放置硅片的放置盤(pán);其特征在于，所述放置盤(pán)的底端面設(shè)置有多個(gè)加熱孔，加熱孔連通至設(shè)置在放置盤(pán)外部的加熱管道，加熱管道連接有加熱源;所述放置盤(pán)的底端面采用弧形結(jié)構(gòu)，其朝向加熱管道進(jìn)行彎曲，放置盤(pán)的底端面設(shè)置有用于置放硅片的放置端板，放置端板沿放置盤(pán)的底端面成環(huán)形分布，且其所處高度高于放置盤(pán)的最低位置;多個(gè)加熱孔在放置端板與放置盤(pán)的最低位置之間均勻分布。2.按照權(quán)利要求1所述的濺射工藝中的硅片加熱裝置，其特征在于，所述放置端板之中設(shè)置有多個(gè)輔助加熱孔，多個(gè)輔助加熱孔沿放置端板的延伸方向均勻分布。3.按照權(quán)利要求2所述的濺射工藝中的硅片加熱裝置，其特征在于，所述放置端板包括有連接于放置盤(pán)之上的連接端，以及與硅片相接觸的放置端，所述放置端的高度高于連接端的高度。
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種濺射工藝中的硅片加熱裝置，其包括有用于放置硅片的放置盤(pán)；所述放置盤(pán)的底端面設(shè)置有多個(gè)加熱孔，加熱孔連通至設(shè)置在放置盤(pán)外部的加熱管道，加熱管道連接有加熱源；所述放置盤(pán)的底端面采用弧形結(jié)構(gòu)，其朝向加熱管道進(jìn)行彎曲，放置盤(pán)的底端面設(shè)置有用于置放硅片的放置端板，放置端板沿放置盤(pán)的底端面成環(huán)形分布，且其所處高度高于放置盤(pán)的最低位置；多個(gè)加熱孔在放置端板與放置盤(pán)的最低位置之間均勻分布；采用上述技術(shù)方案的濺射工藝中的硅片加熱裝置，其使得硅片襯底的各個(gè)位置可進(jìn)行均勻加熱，從而避免硅片因與放置盤(pán)的接觸而導(dǎo)致部分區(qū)域被遮蓋的現(xiàn)象。
【IPC分類(lèi)】C23C14/50, C23C14/34
【公開(kāi)號(hào)】CN205188425
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520929754
【發(fā)明人】史進(jìn), 伍志軍
【申請(qǐng)人】蘇州賽森電子科技有限公司
【公開(kāi)日】2016年4月27日
【申請(qǐng)日】2015年11月20日