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      引線框架處理槽的制作方法

      文檔序號:10804946閱讀:255來源:國知局
      引線框架處理槽的制作方法
      【專利摘要】本實用新型公開了一種引線框架處理槽。所述引線框架處理槽包括槽體、傳動機構(gòu)及固持機構(gòu)。所述槽體具有容腔,該槽體的容腔用于灌裝化學處理液。所述傳動機構(gòu)設(shè)置在所述槽體的容腔內(nèi)。所述固持機構(gòu)包括至少兩個限位件,該至少兩個限位件沿所述傳動機構(gòu)的運轉(zhuǎn)方向依次排列設(shè)置。所有相鄰兩個限位件之間間隔設(shè)置且所述間隔大于或等于半導體引線框架的厚度。所述引線框架處理槽占用空間小、浸泡時間長且浸泡處理效果好。
      【專利說明】
      引線框架處理槽
      技術(shù)領(lǐng)域
      [0001]本實用新型涉及一種半導體引線框架的處理設(shè)備,特別涉及一種引線框架處理槽。
      【背景技術(shù)】
      [0002]在集成電路領(lǐng)域,一般需要采用半導體引線框作為集成電路芯片的載體。半導體引線框架采用諸如金絲、鋁絲、銅絲的鍵合材料實現(xiàn)芯片內(nèi)部電路引出端與外引線的電氣連接,形成電氣回路的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)件,它起到了和外部導線連接的橋梁作用。由于集成芯片的高精度的生產(chǎn)要求,需要半導體引線框架光滑而沒有毛刺。因而,一般需要進行化學浸泡,從而便于進一步加工處理?,F(xiàn)有技術(shù)中用于占用空間的限制,導致化學浸泡時間較短,從而影響浸泡效果?,F(xiàn)有的引線框架處理槽,引線框架部分浸泡在化學處理液中,不能完全浸入處理液內(nèi),對有些引線框架不適用。
      【實用新型內(nèi)容】
      [0003]本實用新型的目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足,提供可對引線框架處理更全面的引線框架處理槽。
      [0004]為實現(xiàn)以上目的,本實用新型通過以下技術(shù)方案實現(xiàn):
      [0005]—種引線框架處理槽,其特征在于:所述引線框架處理槽包括:
      [0006]槽體,所述槽體具有容腔,該槽體的容腔用于灌裝化學處理液;
      [0007]傳動機構(gòu),該傳動機構(gòu)設(shè)置在所述槽體的容腔內(nèi);
      [0008]固持機構(gòu),該固持機構(gòu)包括至少兩個限位件,該至少兩個限位件沿所述傳動機構(gòu)的運轉(zhuǎn)方向依次排列設(shè)置,所有相鄰兩個限位件之間間隔設(shè)置且所述間隔大于或等于半導體引線框架的厚度。
      [0009]優(yōu)選地,所述限位件為止檔柱或止檔壁。
      [0010]優(yōu)選地,所述固持機構(gòu)還包括支撐件。所述支撐件設(shè)置在所述傳動機構(gòu)上。所述限位件設(shè)置在所述支撐件上。
      [0011 ]優(yōu)選地,所述支撐件開設(shè)有缺口及突出部。所述支撐件的突出部及缺口在沿所述傳動機構(gòu)的運轉(zhuǎn)方向上分別設(shè)置在所述支撐件的前端和尾端。所述缺口具有與所述突出部相同的形狀及尺寸。相鄰兩個支撐件中的一個支撐件的突出部設(shè)置為延伸至另一個支撐件的缺口內(nèi)。
      [0012]優(yōu)選地,所述限位件包括主體、底端及頂端。所述限位件的底端設(shè)置在所述傳動機構(gòu)上。相鄰兩個限位件的頂端之間的間距設(shè)置為大于所述相鄰兩個限位件的主體之間的間距。
      [0013]優(yōu)選地,所述限位件的主體為圓柱形,所述限位件的底端為圓錐形。
      [0014]優(yōu)選地,所述傳動機構(gòu)為鏈條或鋼帶;所述鏈條包括多個依次連接的鏈節(jié)。
      [0015]優(yōu)選地,所述相鄰兩個限位件之間的間距與一個鏈節(jié)長度相同。
      [0016]優(yōu)選地,所述鏈條的鏈節(jié)上設(shè)置有安裝座,所述安裝座沿與所述鏈條的運轉(zhuǎn)方向垂直的方向突出設(shè)置;
      [0017]所述固持機構(gòu)還包括支撐件,所述支撐件設(shè)置在所述安裝座上;所述限位件設(shè)置在所述支撐件上。
      [0018]優(yōu)選地,所述引線框架處理槽還包括動力裝置。所述動力裝置設(shè)置為輸出動力以驅(qū)動所述傳動機構(gòu)運轉(zhuǎn)。
      [0019]優(yōu)選地,所述引線框架處理槽還包括上蓋。所述上蓋設(shè)置在所述槽體的容腔的開口上。所述上蓋的前端開設(shè)有入料口。所述上蓋的尾端開設(shè)有取料口。
      [0020]本實用新型提供的引線框架處理槽的固持機構(gòu)將半導體引線框架維持在豎直位置,也即是半導體引線框架的厚度方向即為化學浸泡槽的長度方向或運轉(zhuǎn)方向,使得半導體引線框架占用空間小且浸泡時間長,從而獲得了較佳的處理效果。使用本實用新型,可將引線框架全部浸入化學處理液內(nèi),處理效果更好。
      【附圖說明】
      [0021]圖1為本實用新型的引線框架處理槽的結(jié)構(gòu)示意圖。
      [0022]圖2為圖1的引線框架處理槽包括上蓋時的結(jié)構(gòu)示意圖。
      [0023]圖3為圖1中的A處的放大示意圖。
      [0024]圖4為圖3中的部分第一限位件設(shè)置在支撐件、鏈節(jié)上的結(jié)構(gòu)示意圖之一。
      [0025]圖5為圖4的部分第一限位件設(shè)置在支撐件、鏈節(jié)上的結(jié)構(gòu)示意圖之二。
      [0026]圖6為圖4的部分第一限位件設(shè)置在支撐件、鏈節(jié)上的立體分解圖。
      【具體實施方式】
      [0027]下面結(jié)合附圖對本實用新型進行詳細的描述:
      [0028]如圖1、圖2及圖3所示,其為本實用新型提供的一種引線框架處理槽100。所述引線框架處理槽100包括槽體11、傳動機構(gòu)110、固持機構(gòu)120及動力裝置130。
      [0029]所述槽體101具有容腔。所述槽體101的容腔用于灌裝化學處理液。在本實施例中,半導體引線框架通過化學處理液的處理能夠便于去除毛刺。所述槽體101可以設(shè)置在長方體槽??梢韵氲降氖?,所述槽體101的上方具有開口。
      [°03°]請一并參閱圖4、圖5及圖6,所述傳動機構(gòu)110設(shè)置在所述槽體1I內(nèi)。所述傳動機構(gòu)110用于帶動引線框架。所述傳動機構(gòu)110可以為鋼帶、皮帶等傳輸帶。在本實施例中,所述傳動機構(gòu)110采用鏈條實現(xiàn)傳動。所述鏈條的數(shù)量只要滿足傳輸要求即可。在本實施例中,為了平衡受力以便于傳輸,所述鏈條為兩條,且該兩條鏈條平行設(shè)置??梢韵氲降氖牵鲦湕l由多個鏈節(jié)依次連接而成。當然,所述傳動機構(gòu)110可以包括齒輪以帶動鏈條。所述傳動機構(gòu)110的鏈節(jié)還突出設(shè)置有安裝座115。所述安裝座115便于實現(xiàn)對下述限位件121的設(shè)置。
      [0031]可以想到的是,可以采用人力轉(zhuǎn)動傳動機構(gòu)110的方式實現(xiàn)半導體引線框架的傳輸。在本實施例中采用動力裝置130驅(qū)動所述傳動機構(gòu)110運轉(zhuǎn)。所述動力裝置130可以為電動機。
      [0032]所述固持機構(gòu)120用將半導體引線框架在運轉(zhuǎn)過程中不脫落,以實現(xiàn)化學處理液的浸泡。所述固持機構(gòu)120包括至少兩個限位件121。所述限位件121沿所述傳動件機構(gòu)110的運轉(zhuǎn)方向設(shè)置在該傳動機構(gòu)110上,以跟隨所述傳動機構(gòu)110運轉(zhuǎn)。在本實施例中,所述每一個鏈條上設(shè)置有一排限位件121。在同一排內(nèi)的相鄰限位件121之間間隔設(shè)置。該間隔大于或等于引線框架的厚度,使得引線框架沿豎直方向容置在槽體101內(nèi),從而使得合理利用了槽體101的內(nèi)部空間,使得槽體101的長度能夠較短,同時延長浸泡時間而達到較佳的處理效果。所述限位件121可以為止擋柱或止擋壁,只要能夠?qū)崿F(xiàn)阻擋使得引線框架豎直設(shè)置在槽體101內(nèi)即可。所述止擋壁可以為盲孔、容腔的側(cè)壁實現(xiàn)豎直插設(shè)限位件121即可。在本實施例中,所述限位件121為止檔柱。所述限位件121包括主體128、底端127及頂端129。所述底端127插設(shè)或焊接在所述傳動機構(gòu)110上。為了便于順利對準及實現(xiàn)插設(shè),所述相鄰的頂端120之間的間隔大于所述相鄰主體128之間的間距。具體地,在本實施例中,所述主體128為圓柱形,所述頂端129為圓錐形。
      [0033]為了便于安裝及提高支撐性能,所述固持機構(gòu)120還包括支撐件122。所述支撐件122設(shè)置為板狀。所述支撐件122設(shè)置在所述傳動機構(gòu)110的鏈節(jié)上。所述支撐件122開設(shè)有缺口 123及突出部124。所述缺口 123、突出部124分別設(shè)置在所述支撐件122的前端和尾端。需要說明的是,在本實施例中出現(xiàn)的“前”、“后”指的是沿傳動機構(gòu)110的運轉(zhuǎn)方向的前后方向。
      [0034]所述限位件121設(shè)置在支撐件122上。所述缺口123、突出部124能夠保證所有限位件121的安裝孔或焊接部沿同一條直線排列。所述相鄰兩個限位件121之間個間隔與所述一個鏈節(jié)長度相同,從而保證鏈條的鏈節(jié)轉(zhuǎn)動一個單位鏈節(jié)就能傳輸一個引線框架,從而便于對速度的控制。
      [0035]為了密封防止化學處理液揮發(fā)及對環(huán)境及人體造成損傷,所述引線框架處理槽100還包括上蓋140。所述上蓋140設(shè)置在所述槽體101的容腔的開口上。為了便于進料及取料,所述上蓋140的前端開設(shè)有入料口 142,所述上蓋的尾端開設(shè)有取料口 144。
      [0036]本實用新型中的實施例僅用于對本實用新型進行說明,并不構(gòu)成對權(quán)利要求范圍的限制,本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員可以想到的其他實質(zhì)上等同的替代,均在本實用新型保護范圍內(nèi)。
      【主權(quán)項】
      1.引線框架處理槽,其特征在于:包括: 槽體,所述槽體具有容腔,該槽體的容腔用于灌裝化學處理液; 傳動機構(gòu),該傳動機構(gòu)設(shè)置在所述槽體的容腔內(nèi); 固持機構(gòu),該固持機構(gòu)包括至少兩個限位件,該至少兩個限位件沿所述傳動機構(gòu)的運轉(zhuǎn)方向依次排列設(shè)置,所有相鄰兩個限位件之間間隔設(shè)置且所述間隔大于或等于半導體引線框架的厚度。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線框架處理槽,其特征在于:所述限位件為止檔柱或止檔壁。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線框架處理槽,其特征在于:所述固持機構(gòu)還包括支撐件,所述支撐件設(shè)置在所述傳動機構(gòu)上,所述限位件設(shè)置在所述支撐件上。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的引線框架處理槽,其特征在于:所述支撐件開設(shè)有缺口及突出部,所述支撐件的突出部及缺口在沿所述傳動機構(gòu)的運轉(zhuǎn)方向上分別設(shè)置在所述支撐件的前端和尾端,所述缺口具有與所述突出部相同的形狀及尺寸,相鄰兩個支撐件中的一個支撐件的突出部設(shè)置為延伸至另一個支撐件的缺口內(nèi)。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線框架處理槽,其特征在于:所述限位件包括主體、底端及頂端,所述限位件的底端設(shè)置在所述傳動機構(gòu)上,相鄰兩個限位件的頂端之間的間距設(shè)置為大于所述相鄰兩個限位件的主體之間的間距。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的引線框架處理槽,其特征在于:所述限位件的主體為圓柱形,所述限位件的底端為圓錐形。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線框架處理槽,其特征在于:所述傳動機構(gòu)為鏈條或鋼帶;所述鏈條包括多個依次連接的鏈節(jié)。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的引線框架處理槽,其特征在于:所述相鄰兩個限位件之間的間距與一個鏈節(jié)長度相同。9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的引線框架處理槽,其特征在于:所述鏈條的鏈節(jié)上設(shè)置有安裝座,所述安裝座沿與所述鏈條的運轉(zhuǎn)方向垂直的方向突出設(shè)置; 所述固持機構(gòu)還包括支撐件,所述支撐件設(shè)置在所述安裝座上;所述限位件設(shè)置在所述支撐件上。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線框架處理槽,其特征在于:所述引線框架處理槽還包括動力裝置,所述動力裝置設(shè)置為輸出動力以驅(qū)動所述傳動機構(gòu)運轉(zhuǎn)。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線框架處理槽,其特征在于:所述引線框架處理槽還包括上蓋,所述上蓋設(shè)置在所述槽體的容腔的開口上,所述上蓋的前端開設(shè)有入料口,所述上蓋的尾端開設(shè)有取料口。
      【文檔編號】H01L21/48GK205488050SQ201521140618
      【公開日】2016年8月17日
      【申請日】2015年12月31日
      【發(fā)明人】黃春杰, 黃利松
      【申請人】上海新陽半導體材料股份有限公司
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