一種mosfet線性直流穩(wěn)壓的輸出電路的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種MOSFET線性直流穩(wěn)壓的輸出電路，包括第一電容、第二電容、電阻、穩(wěn)壓管以及MOSFET管，所述的第一電容連接在電路的輸入端和輸出端之間，所述的第二電容連接在第一電容與電路的輸出端之間，所述的電阻與穩(wěn)壓管串聯(lián)連接后再與第一電容并聯(lián)連接，所述的MOSFET管包括柵極、源極和漏極，所述的MOSFET管的柵極與電路的輸出端相連接，所述的MOSFET管的源極分別與電阻和穩(wěn)壓管相連接，所述的MOSFET管的漏極與電路的輸入端相連接。通過上述方式，本實(shí)用新型的MOSFET線性直流穩(wěn)壓的輸出電路，其具有工作電壓范圍寬、縮小PCB設(shè)計(jì)時(shí)所占用的面積以及器件更好選型等優(yōu)點(diǎn)。
【專利說明】
一種MOSFET線性直流穩(wěn)壓的輸出電路
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本實(shí)用新型屬于電路的技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種MOSFET線性直流穩(wěn)壓的輸出電路。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，電路中所使用的傳統(tǒng)的三極管電子濾波器電路和LM7812穩(wěn)壓芯片，輸入電壓比較低，當(dāng)輸入電壓高于30V，此電路就不能再使用。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型主要解決的技術(shù)問題是提供一種MOSFET線性直流穩(wěn)壓的輸出電路，在保持原有的功能下，通過各元器件，實(shí)現(xiàn)了寬電壓輸入，解決了當(dāng)輸入電壓高于30V，此電路就不能再使用的問題，其具有工作電壓范圍寬、縮小PCB設(shè)計(jì)時(shí)所占用的面積以及器件更好選型等優(yōu)點(diǎn)。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用的一個(gè)技術(shù)方案是:提供了一種MOSFET線性直流穩(wěn)壓的輸出電路，包括第一電容、第二電容、電阻、穩(wěn)壓管以及MOSFET管，所述的第一電容連接在電路的輸入端和輸出端之間，所述的第二電容連接在第一電容與電路的輸出端之間，所述的電阻與穩(wěn)壓管串聯(lián)連接后再與第一電容并聯(lián)連接，所述的MOSFET管包括柵極、源極和漏極，所述的MOSFET管的柵極與電路的輸出端相連接，所述的MOSFET管的源極分別與電阻和穩(wěn)壓管相連接，所述的MOSFET管的漏極與電路的輸入端相連接。
[0005]在本實(shí)用新型一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述的第一電容和第二電容均采用電解電容。
[0006]在本實(shí)用新型一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述的MOSFET管采用N型MOSFET管，其型號(hào)為IRF640，所述的MOSFET管的柵極電壓始終高于源極的電壓。
[0007]在本實(shí)用新型一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述的電路的輸入端的電壓范圍寬為15-1OOVDCo
[0008]在本實(shí)用新型一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述的電路的輸入端的電壓為48VDC。
[0009]在本實(shí)用新型一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述的電路的輸出端的電壓為12VDC。
[0010]本實(shí)用新型的有益效果是:本實(shí)用新型的MOSFET線性直流穩(wěn)壓的輸出電路，在保持原有的功能下，通過各元器件，實(shí)現(xiàn)了寬電壓輸入，解決了當(dāng)輸入電壓高于30V，此電路就不能再使用的問題，其具有工作電壓范圍寬、縮小PCB設(shè)計(jì)時(shí)所占用的面積以及器件更好選型等優(yōu)點(diǎn)。
【附圖說明】
[0011]為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖，其中:
[0012]圖1是本實(shí)用新型MOSFET線性直流穩(wěn)壓的輸出電路的一較佳實(shí)施例的電路圖。
【具體實(shí)施方式】
[0013]下面將對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅是本實(shí)用新型的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0014]如圖1所示，本實(shí)用新型實(shí)施例包括:
[0015]一種MOSFET線性直流穩(wěn)壓的輸出電路，包括第一電容Cl、第二電容C2、電阻Rl、穩(wěn)壓管ZDl以及MOSFET管Ql，所述的第一電容Cl連接在電路的輸入端和輸出端之間，所述的第二電容C2連接在第一電容Cl與電路的輸出端之間，所述的電阻Rl與穩(wěn)壓管ZDl串聯(lián)連接后再與第一電容Cl并聯(lián)連接，所述的MOSFET管Ql包括柵極G、源極S和漏極D，所述的MOSFET管Ql的柵極G與電路的輸出端相連接，所述的MOSFET管Ql的源極S分別與電阻Rl和穩(wěn)壓管ZDl相連接，所述的MOSFET管Ql的漏極D與電路的輸入端相連接。
[0016]上述中，所述的電路的輸入端的電壓范圍寬為15-100VDC。本實(shí)施例中，所述的電路的輸入端的電壓為48 VDC;所述的電路的輸出端的電壓為12 VDC。
[0017]其中，所述的第一電容Cl和第二電容C2均采用電解電容;所述的MOSFET管Ql采用N型MOSFET管，其型號(hào)為IRF640，所述的MOSFET管Ql的柵極電壓始終高于源極的電壓。
[0018]具體地，電阻Rl為6.8K電阻、穩(wěn)壓管ZDl為15V穩(wěn)壓管、MOSFET管Ql為IRF640、第一電容Cl為22Uf/100V電解電容、第一電容C2為47Uf/25V電解電容。
[0019]電路的輸入端輸入的是48V直流電經(jīng)過電阻Rl、穩(wěn)壓管ZDI穩(wěn)壓在+15V，MOSFET管Ql的導(dǎo)通特性是當(dāng)Vgs電壓達(dá)到+3V以上就開能導(dǎo)通，因N型MOSFET管的柵極(G)電壓始終是高于源極(S)的，所以源極S正常穩(wěn)定輸出+ 12VDC，M0SFET管Ql工作在線性穩(wěn)壓區(qū)，此時(shí)如果需要增加輸出電流需讓MOSFET管Ql有足夠的散熱條件。
[0020]本實(shí)用新型的MOSFET線性直流穩(wěn)壓的輸出電路與傳統(tǒng)的三極管電子濾波器電路和LM7812穩(wěn)壓芯片技術(shù)相比較，其優(yōu)點(diǎn)是:
[0021]1.輸入電壓范圍寬:15-100VDC，傳統(tǒng)的三極管電子濾波器電路和LM7812穩(wěn)壓芯片電壓一般不超過30VDC;
[0022]2.傳統(tǒng)的三極管電子濾波器電路是電流放大型讓三極管工作放大區(qū)進(jìn)行穩(wěn)壓，基極需要較大的驅(qū)動(dòng)電流，所以電阻Rl的阻值不能取的太大，功率也不能太小，相應(yīng)電阻Rl上功率就增大，設(shè)計(jì)電路板時(shí)就占用PCB的空間就較大，如采用本實(shí)用新型的MOSFET線性直流穩(wěn)壓方案是電壓驅(qū)動(dòng)型讓MOSFET管Ql工作放大區(qū)進(jìn)行穩(wěn)壓，只需供給相應(yīng)的電壓就能穩(wěn)壓，所以電阻Rl的阻值可以取大，功率也可取小，設(shè)計(jì)電路板時(shí)相應(yīng)的體積也縮小了；
[0023 ] 3.高電壓小體積的MOSFET管Ql器件比三極管更好選擇。
[0024]綜上所述，本實(shí)用新型的MOSFET線性直流穩(wěn)壓的輸出電路，在保持原有的功能下，通過各元器件，實(shí)現(xiàn)了寬電壓輸入，解決了當(dāng)輸入電壓高于30V，此電路就不能再使用的問題，其具有工作電壓范圍寬、縮小PCB設(shè)計(jì)時(shí)所占用的面積以及器件更好選型等優(yōu)點(diǎn)。
[0025]以上所述僅為本實(shí)用新型的實(shí)施例，并非因此限制本實(shí)用新型的專利范圍，凡是利用本實(shí)用新型說明書內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其它相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種MOSFET線性直流穩(wěn)壓的輸出電路，其特征在于，包括第一電容、第二電容、電阻、穩(wěn)壓管以及MOSFET管，所述的第一電容連接在電路的輸入端和輸出端之間，所述的第二電容連接在第一電容與電路的輸出端之間，所述的電阻與穩(wěn)壓管串聯(lián)連接后再與第一電容并聯(lián)連接，所述的MOSFET管包括柵極、源極和漏極，所述的MOSFET管的柵極與電路的輸出端相連接，所述的MOSFET管的源極分別與電阻和穩(wěn)壓管相連接，所述的MOSFET管的漏極與電路的輸入端相連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOSFET線性直流穩(wěn)壓的輸出電路，其特征在于，所述的第一電容和第二電容均采用電解電容。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOSFET線性直流穩(wěn)壓的輸出電路，其特征在于，所述的MOSFET管采用N型MOSFET管，其型號(hào)為IRF640，所述的MOSFET管的柵極電壓始終高于源極的電壓。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOSFET線性直流穩(wěn)壓的輸出電路，其特征在于，所述的電路的輸入端的電壓范圍寬為15-100VDC。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的MOSFET線性直流穩(wěn)壓的輸出電路，其特征在于，所述的電路的輸入端的電壓為48VDC。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的MOSFET線性直流穩(wěn)壓的輸出電路，其特征在于，所述的電路的輸出端的電壓為12VDC。
【文檔編號(hào)】H02M3/156GK205490146SQ201620210870
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2016年3月21日
【發(fā)明人】李紅全, 司紅磊, 李青海, 陳強(qiáng)
【申請人】江蘇峰谷源儲(chǔ)能技術(shù)研究院有限公司