技術(shù)編號：10037178
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本實用新型一般涉及電子技術(shù)，并且更具體地，涉及半導(dǎo)體及其結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)在過去，電子產(chǎn)業(yè)利用各種方法和結(jié)構(gòu)以形成半導(dǎo)體裝置，包括在電路中與氮化鎵(GaN)晶體管連接的硅金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)場效應(yīng)晶體管(FET)。在公開于2013年4月11日的發(fā)明人為Lal等人的美國專利公開號2013/0088280中描述了包括GaN和MOSFET的電路的一個示例。在一些利用包括硅MOSFET和GaN晶體管的裝置的應(yīng)用中，瞬態(tài)電壓可能發(fā)生，其可能導(dǎo)致?lián)p壞裝置。例如，當施...
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