技術編號：10049563
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。金屬有機化學氣象沉積法(MetalOrganic Chemical Vapor Deposit1n，簡稱MOCVD)，是在基板上成長半導體薄膜的一種方法，實際應用中基板可以是發(fā)光二極管外延片或者芯片。M0CVD的外延工藝速度快，產(chǎn)量高，適用于高亮度發(fā)光二極管的外延成膜。M0CVD成膜設備如圖1所示為一氣相沉積爐，其包括一反應室1，其內(nèi)為一反應腔2，反應腔中安裝有一加熱器3，加熱器3上面置有一承載盤4。成長薄膜時，待成膜基板5放在承載盤4上，通過加熱器3將待...
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