技術編號：10081227
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。存儲器件廣泛用于電子裝置中以存儲數(shù)據(jù)，一般的，存儲裝置至少分為兩類動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)和靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)。DRAM—般通過向存儲器中重新寫入數(shù)據(jù)使其數(shù)據(jù)周期性刷新，以保持數(shù)據(jù)。相反，SRAM —般不需要這種刷新，SRAM器件廣泛用于計算機和便攜器材的高速緩沖存儲器中?，F(xiàn)有技術中靜態(tài)隨機存儲器單元通常形成6T的電路結構，參考圖1所示，包括第一反相電路100和第二反相電路200，第一反相電路100和第二反相電路200以交叉連接方式連接，...
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