技術(shù)編號(hào)：10129493
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。大功率IGBT (Insulated GateBipolar Transistor)，即絕緣棚.雙極型晶體管，自80年代成功的研發(fā)和工業(yè)化使用以來，廣泛應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)中，如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。在傳統(tǒng)的設(shè)計(jì)和使用中，為了保證IGBT器件的可靠性，基本上都是采用粗放式的設(shè)計(jì)模式，選用器件的容量遠(yuǎn)大于工作所需，驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，多以RCD吸收回路吸收為主，驅(qū)動(dòng)和保護(hù)系統(tǒng)龐大，即使是這樣，仍無法抵抗來自外界的...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。