技術編號：10151940
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。在半導體集成電路制造過程中，濺射工藝(或稱為物理氣相沉積(PVD))被用于沉積許多種不同的金屬層及相關材料層。其中應用最為廣泛的濺射工藝之一是直流磁控濺射技術。典型的直流磁控濺射設備如圖1所示，該設備具有圓環(huán)型反應腔體1。真空栗系統(tǒng)2可對反應腔體進行抽氣而達到約10 6Torr的背底真空度。通過流量計3連接到反應腔體的氣體源4可供給濺射反應氣體(如氬氣、氮氣等)。5為承載晶片的底座(帶加熱或冷卻功能)。6為靶材，其被密封在真空腔體上。7為一種絕緣材料(例如...
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