技術編號：10182007
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。Si基片具有功能多樣、集成度高等優(yōu)點，常被用作半導體器件的襯底，但隨著現(xiàn)代無線通訊技術朝向高頻、高速、高功率、高效率發(fā)展，Si基片由于高頻特性不足，所以其應用受限。另一方面，GaAs作為第二代半導體的典型代表，由于高頻特性好、工藝成熟度高等特點，廣泛地應用于無線通訊中，但GaAs器件由于集成度不高，所以其應用受到限制。因此，如何將Si基片的高集成度特性與GaAs器件的高頻特性相結合，一直是當前研究的熱點。然而，由于GaAs材料與Si材料存在晶格常數(shù)、熱膨脹...
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