技術(shù)編號(hào)：10189349
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。集成電路的制造都離不開襯底材料一單晶硅。制備單晶硅有兩種方法懸浮區(qū)熔法和直拉法。不管哪種方法都得不到完全純凈的單晶硅，而集成電路制造工藝必須采用高純單晶硅。解決純度的方式就是在單晶硅片上再生長一層外延層，將集成電路做在外延層上的。目前所有集成電路都是做在外延層上的。硅外延是集成電路制造不可缺少工藝之一。硅外延設(shè)備不但器件制造工藝需要，材料制造工藝也需要，應(yīng)用非常廣泛。其工作原理是，將硅源用氫氣攜帶進(jìn)入工藝腔室，工藝腔室內(nèi)有裝片托盤，基片放在托盤上，隨托盤一...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。