技術編號：10277503
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。半導體生產(chǎn)用硅片在濺射加工過程中，需對硅片襯底進行加熱處理?，F(xiàn)有的加熱工藝往往采用背噴工藝，即將硅片放置于容器內(nèi)部，通過容器底部的加熱孔向硅片輸送加熱氣體，以使得硅片襯底得以加熱。然而，上述加熱工藝中，由于硅片與容器底部貼合，加熱氣體與硅片的接觸范圍受到限制，導致硅片襯底無法得以均勻加熱。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明要解決的技術問題是提供一種濺射工藝中的硅片加熱裝置，其可使得硅片的加熱均度得以改善。為解決上述技術問題，本發(fā)明涉及一種濺射工藝中的硅片加熱裝置，其包括有用于...
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