技術(shù)編號：10330596
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 目前晶體娃太陽電池產(chǎn)業(yè)中仍舊占據(jù)著90%的市場份額，表明該種太陽電池具有 著強(qiáng)大的生命力和競爭力。在其傳統(tǒng)制備工藝中，使用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)的 方法在發(fā)射極表面沉積一層SiNx薄膜是其中非常重要一步。SiNx薄膜具有純化娃片表面和 減反射的作用。決定SiNx薄膜純化及減反射效果的主要因素有SiNx薄膜成膜致密性;薄膜 中娃氮比例W及薄膜的厚薄度。 目前實(shí)際生產(chǎn)中常用的管式低頻直接法PECVD采用電阻式加熱將整個腔體加熱到 所需的溫度，在...
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