技術(shù)編號(hào)：10353792
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 憶阻器是一種具有記憶性的非線性電阻，也稱為記憶電阻，它是繼電阻、電容和電 感之后的第四種電路元件。憶阻器最早由Chua在1971年提出，但直到2008年才由美國惠普 實(shí)驗(yàn)室發(fā)現(xiàn)了一種實(shí)際憶阻器的存在，即Ti02憶阻器。憶阻器具有記憶性、突觸特性和納米 尺度，在非易失性存儲(chǔ)器、神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)等領(lǐng)域有極大的應(yīng)用潛力。但由于納米技術(shù)的實(shí)現(xiàn)困難 和高成本，憶阻器目前還未作為一個(gè)實(shí)際的元件走向市場(chǎng)，設(shè)計(jì)一種憶阻器仿真器并用其 替代實(shí)際憶阻器進(jìn)行實(shí)驗(yàn)和應(yīng)用研究具有重要意義...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。