技術(shù)編號：10406709
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 蔡少棠在電阻、電容和電感的基礎(chǔ)上提出了憶阻器的概念，2008年惠普實(shí)驗(yàn)室實(shí) 現(xiàn)了憶阻器。憶阻器具有納米尺度結(jié)構(gòu)，在非遺失性存儲(chǔ)器及人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的研究等方面 具有重要意義。憶感器與憶阻器同屬于記憶器件，無需外部電源即可存儲(chǔ)信息。目前尚未實(shí) 現(xiàn)實(shí)際的憶感器，為了對憶感器進(jìn)行預(yù)先研究，設(shè)計(jì)一種憶感器數(shù)學(xué)模型及其等效電路進(jìn) 行實(shí)驗(yàn)和應(yīng)用研究具有重要意義。 目前，有關(guān)憶感器的仿真模型中，主要有一次光滑曲線模型和二次光滑曲線模型， 研究者主要應(yīng)用運(yùn)些少數(shù)的憶感器模型...
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