技術(shù)編號：10467340
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體器件的應(yīng)用變得越來越廣泛，在相關(guān)技術(shù)中，半導(dǎo)體器件(如MOS管，即金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管)通常只有一個柵極控制電路的開啟與關(guān)斷，但是在實際應(yīng)用中往往需要半導(dǎo)體器件以不同的開關(guān)速度控制電路的導(dǎo)通與斷開。因此，如何實現(xiàn)半導(dǎo)體器件能夠以不同的開關(guān)速度控制電路的導(dǎo)通與斷開成為亟待解決的技術(shù)問題。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明正是基于上述技術(shù)問題至少之一，提出了一種新的半導(dǎo)體器件的制作方法，使得半導(dǎo)體器件能夠以不同的開關(guān)速度控制電路的導(dǎo)通與斷開，滿足不同...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。