技術編號：10468022
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。作為第三代寬帶隙半導體材料的一員，SiC單晶具有禁帶寬度大、熱導率高、臨界擊穿場強等諸多優(yōu)異的性質?；谶@些優(yōu)良的性質，SiC是制備大功率器件的理想半導體材料。其中半絕緣SiC單晶可用于制備高功率微波器件，可廣泛應用于微波通訊、機載雷達、艦載雷達等領域。通常，獲得半絕緣SiC單晶的方法有兩種，一是通過摻雜釩元素，形成深能級，從而可補償淺能級雜質，從而獲得半絕緣性質。但是此方法中，摻雜的釩會在微波器件中引入有害的電荷陷阱，導致電流崩塌和不同工作頻率下的漏電流...
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