技術(shù)編號(hào):10471806
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。 隨著半導(dǎo)體元件的集成化,為了達(dá)到高密度W及高效能的目標(biāo),在制造半導(dǎo)體 元件時(shí),傾向形成向上堆找的結(jié)構(gòu),W更有效利用晶圓面積。因此,具有高深寬比(hi曲 aspect ratio)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)經(jīng)常出現(xiàn)在小尺寸元件中。舉例而言,上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)例如是 包括高深寬比的溝道。 一般而言,在制造上述元件時(shí)包括將導(dǎo)體層填入高深寬比的溝道。然而,由于導(dǎo)體 層本身的溝填(gap filling)能力不佳,因此容易在溝道中形成分散不均的孔桐(void), 造成半導(dǎo)體元件在電...
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