技術(shù)編號(hào):10471854
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展,為了提高器件的性能,需要不斷縮小集成電路器件的尺寸,隨著CMOS器件尺寸的不斷縮小,促進(jìn)了三維設(shè)計(jì)如鰭片場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)的發(fā)展。相對(duì)于現(xiàn)有的平面晶體管,所述FinFET器件在溝道控制以及降低淺溝道效應(yīng)等方面具有更加優(yōu)越的性能;平面柵極結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述溝道上方,而在FinFET中所述柵極環(huán)繞所述鰭片設(shè)置,因此能從三個(gè)面來(lái)控制靜電,在靜電控制方面的性能也更突出?,F(xiàn)有技術(shù)的批量生產(chǎn)中由于穩(wěn)定的紫外線極紫外光刻(extreme-...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。