技術編號：10490638
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。溝槽型雙層柵M0S，作為一種功率器件，具有擊穿電壓高，導通電阻低，開關速度快的特點。圖1所示為一種常見的溝槽型雙層柵MOS器件的剖面圖，圖中的溝槽分為上下兩層，其中位于下層的多晶硅源極2，位于溝槽上部的為多晶硅柵極4，多晶硅源極2和多晶硅柵極4之間具有隔離氧化層3，溝槽內壁具有介質膜以隔離多晶硅與硅襯底。溝槽上部區(qū)域的襯底中具有多晶硅源極2的接觸6。圖2是多晶硅源極2的接觸6的局部放大圖，由于現(xiàn)在在工藝上器件的尺寸逐漸縮小，導致源極的接觸6的光刻套準變得對...
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