技術(shù)編號(hào)：10490686
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。三維(3D)半導(dǎo)體裝置的特征為多個(gè)層，此些層形成一疊層的交替有源層及絕緣層。在一存儲(chǔ)器裝置中，每一個(gè)層可包括一平面陣列的存儲(chǔ)單元。關(guān)于某些三維疊層存儲(chǔ)器裝置，有源層可包括有源條的材料，有源條的材料具體形成為供疊層在隔開的脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)中的存儲(chǔ)單元用的位線或字線。有源層可以由一導(dǎo)體、一未摻雜的半導(dǎo)體或一摻雜(P型或N型)的半導(dǎo)體所制成。在這種3D存儲(chǔ)器中，存儲(chǔ)單元可被部署于疊層的位線或字線與相交的字線或位線的交點(diǎn)，藉以形成3D存儲(chǔ)器陣列。有源層可以由半導(dǎo)體材料所組...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。