技術編號：10490783
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。在IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor絕緣棚.雙極晶體管)等半導體裝置中，配置有晶體管等元件的元件區(qū)域被終端區(qū)域包圍，有時會在終端區(qū)域附近的元件區(qū)域中發(fā)生局部損壞。該重要因素之一是在元件區(qū)域與終端區(qū)域之間，會產(chǎn)生容易發(fā)生雪崩擊穿的位置(通稱為熱點(hotspot))。例如，在對元件區(qū)域施加了電涌等負荷的情況下，存在在元件區(qū)域與終端區(qū)域之間熱點多次往來的現(xiàn)象。如果在元件區(qū)域與終端區(qū)域之間熱點多次往來，則元件區(qū)域中的耐...
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