技術(shù)編號：10494525
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。領(lǐng)域本發(fā)明的實施例總體上涉及一種半導(dǎo)體處理腔室，并且更具體地涉及一種用于半導(dǎo)體處理腔室的受熱支撐基座。背景技術(shù)半導(dǎo)體處理涉及許多不同的化學(xué)與物理工藝，由此在基板上創(chuàng)建微小的集成電路。由包括化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積、外延生長等的工藝來創(chuàng)建組成集成電路的多個材料層。使用光刻膠掩模和濕式或干式蝕刻技術(shù)圖案化這些材料層中的一些。用于形成集成電路的基板可以是硅、砷化鎵、磷化銦、玻璃或其他合適的材料。在集成電路的制造中，等離子體工藝常用于各種材料層的沉積或蝕刻。等離...
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