技術(shù)編號(hào)：10494535
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。—些現(xiàn)有的集成電路(IC)器件包括處于器件的結(jié)層級(jí)的一個(gè)或多個(gè)硅可控整流器(SCR)。通常使用離子注入來(lái)制作這些SCR以形成沿著硅襯底的表面大體上橫向布置的N-型和P-型材料。這樣的SCR具有不容易縮放的大的占用空間(footprint)，因?yàn)榻Y(jié)間隙受到常規(guī)光刻所強(qiáng)加的最小距離、以及利用離子注入可實(shí)現(xiàn)的有限精度的約束。因此，由于IC特征尺寸繼續(xù)縮小，現(xiàn)有的SCR和其它平面半導(dǎo)體器件可能是不夠的附圖...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。