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技術(shù)編號：10494536

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以往，對于使用了碳化娃(SiC)的M0SFET(MetalOxide Semiconductor Field-Effect Transistor金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)，進(jìn)行高溫柵偏壓(HTGB HighTemperature Gate Bias)試驗。在高溫柵偏壓試驗中，在高溫環(huán)境下對柵極和源極之間長時間地施加電壓。已知在該高溫柵偏壓試驗中，柵極和源極之間的閾值電壓(Vth)降低。閾值電壓的降低是由來自外部的雜質(zhì)的擴散而引起的。作為抑制閾值電壓的降...
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