技術(shù)編號：10494562
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本申請通常涉及集成電路，并且特別地涉及集成電路中的MOS晶體管。具有鰭式場效應(yīng)晶體管(finFET)的集成電路達到了高柵極密度，但是缺乏由使用高迀移率材料(諸如II1-V族材料或鍺)的平面晶體管提供的晶體管性能。在高密度集成電路中集成高迀移率材料一直存在問題。發(fā)明內(nèi)容可以通過在娃襯底上方形成介電層形成包含η溝道finFET和P溝道finFET的集成電路。穿過所述介電層形成用于η溝道finFET的第一溝槽。在所述第一溝槽中的所述襯底上形成第一硅鍺緩沖層，以及...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。