技術(shù)編號(hào)：10517953
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。以往，碳化硅(以下稱為SiC)半導(dǎo)體在熱、化學(xué)、機(jī)械方面較為穩(wěn)定，作為發(fā)光元件或高頻器件、電力用半導(dǎo)體裝置(功率器件)，期待被應(yīng)用于各種產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。特別是使用了SiC半導(dǎo)體的高耐壓M0SFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor絕緣柵型場效應(yīng)晶體管)與使用了硅(Si)半導(dǎo)體的高耐壓MOSFET相比，具有導(dǎo)通電阻低的優(yōu)點(diǎn)。另外，已報(bào)導(dǎo)了使用SiC半導(dǎo)體的肖特基二極管與使用硅半導(dǎo)體的肖特基二極管相比...
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