技術(shù)編號：10517975
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請通常涉及集成電路，以及特別涉及具有高介電常數(shù)的柵極電介質(zhì)和金屬柵極晶體管的集成電路。直到最近，集成電路主要利用具有多晶硅柵極和二氧化硅或氮化二氧化硅柵極電介質(zhì)的晶體管。隨著工藝尺寸達到并小于28nm，引進具有高介電常數(shù)(高k)電介質(zhì)和金屬柵極的互補的金屬-氧化物-半導(dǎo)體(CMOS)晶體管，以對抗短溝道效應(yīng)并改善高度比例化的晶體管的性能。由于在柵極電介質(zhì)界面附近的多晶硅顆粒中的載流子耗盡，通過避免柵極電介質(zhì)厚度的明顯增加，高k電介質(zhì)提供晶體管溝道的改善...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。