技術(shù)編號：10517988
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。圖18為以往的碳化硅半導體裝置700的主要部分的斷面圖。以往的碳化硅半導體裝置700如圖18所示，包括n+型低電阻碳化硅基板710;n 一型異質(zhì)外延(Heteroepitaxial)層712，形成于n+型低電阻碳化娃基板710上;P型體(Body)區(qū)域716，形成于該η—型外延層712的表面;溝道(Channe I)區(qū)域718，形成于P型體區(qū)域716的表面;η++型源極(Source)區(qū)域720以及ρ++型體接觸(Body contact)區(qū)域722;以及...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。