技術(shù)編號(hào)：10536737
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。隨著集成電路工藝技術(shù)的提高，對(duì)離子注入設(shè)備提出了更高的要求，離子注入元素的種類更多，離子注入設(shè)備的應(yīng)用范圍更廣，其可應(yīng)用于各種材料改性、半導(dǎo)體器件制造以及大功率器件如SiC電子器件制造等領(lǐng)域，并要求離子注入設(shè)備自動(dòng)化程度較高，操作簡(jiǎn)單方便，工作穩(wěn)定?，F(xiàn)有的離子束檢測(cè)裝置檢測(cè)精度低，工作穩(wěn)定性差，運(yùn)動(dòng)時(shí)真空度低，檢測(cè)裝備成本高等，為解決以上問題，需要一種新型離子束檢測(cè)裝置。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)不足，提供一種離子束檢測(cè)裝置，其既可對(duì)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。