技術(shù)編號：10541966
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 -般而言，晶體Si太陽能電池是在P型娃基板的一面上設(shè)置有η型娃層的結(jié)構(gòu)的半 導(dǎo)體，將該η型娃層側(cè)設(shè)為受光面、在該受光面?zhèn)鹊谋砻娼橛傻弈さ确婪瓷淠ぴO(shè)置與η 型娃層連接的表面電極。進(jìn)而，上述的Ρ型娃基板的另一面設(shè)置背電極，取出由半導(dǎo)體的ρη 結(jié)產(chǎn)生的電力。為了提高受光效率設(shè)置上述的防反射膜，另一方面其具有比較高的電阻值， 因此通常針對表面電極與η型娃層的接觸部分，將該防反射膜利用蝕刻、烙融來去除，進(jìn)行 使η型娃層與表面電極的連接良好的操作。 作為去除上述...
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