技術編號：10554377
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。金屬氧化物半導體型場效應晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field EffectTransistor，M0SFET)在功率半導體器件領域有著廣泛的應用。為了拓寬其在高壓領域的應用，有必要提高其耐壓能力，因此需要降低MOSFET漂移區(qū)的摻雜濃度，或者增加其厚度，但這會帶來導通電阻較高的缺點。為了改進上述缺點，人們提出了超結(Super Junct1n)M0SFET，其采用交替的p柱和η柱構成器件的漂移層來代替原來的N型外延層，在縱...
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