技術(shù)編號(hào)：10557248
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。 氧化物半導(dǎo)體與通用的非晶硅(a-Si)相比迀移率高，光學(xué)帶隙大，能以低溫成膜。 因此，期待其面向要求大型、高分辨率、高速驅(qū)動(dòng)的新一代顯示器、耐熱性低的樹(shù)脂基板等 的應(yīng)用。例如，作為上述氧化物半導(dǎo)體，通常使用由銦、鎵、鋅和氧構(gòu)成的非晶氧化物半導(dǎo)體 (In-Ga-Zn-O、以下有時(shí)稱為"IGZ0"。）（專利文獻(xiàn)1)。 近年來(lái)，在氧化物半導(dǎo)體中，向進(jìn)一步高迀移率化的要求特性變強(qiáng)。例如，如果能 將氧化物半導(dǎo)體的迀移率提高到低溫聚娃半導(dǎo)體(Low-temperat...
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