技術(shù)編號(hào):10565816
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。III族氮化物多元系材料屬于直接帶隙的半導(dǎo)體材料,AlxGa(1-X)N的帶隙(0〈χ〈1)從3.4eV到6.2eV連續(xù)可調(diào),顏色覆蓋近紫外到深紫外波長(zhǎng),然而,在室溫下其發(fā)光效率受材料缺陷的影響很強(qiáng),因此,用AlGaN作為量子阱生長(zhǎng)的紫外LED器件發(fā)光效率很低,實(shí)用性差。而實(shí)驗(yàn)研究表明,使用InAlGaN四元混晶代替AlGaN作為量子阱可以顯著降低室溫下發(fā)光效率受材料缺陷的影響,從而制作出高光效的紫外LED。然而,InAlGaN四元混晶材料的金屬有機(jī)物化學(xué)...
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