技術(shù)編號(hào):10571422
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。半導(dǎo)體器件通過(guò)在半導(dǎo)體襯底的主表面上形成半導(dǎo)體元件諸如MISFET,然后在半導(dǎo)體襯底的主表面上形成由多個(gè)層間絕緣膜和多個(gè)布線層組成的多層布線結(jié)構(gòu)來(lái)制造。日本未審專利申請(qǐng)公開(kāi)N0.平成9(1997)-241518(專利文獻(xiàn)I)描述了一種通過(guò)旋涂形成絕緣膜的技術(shù)。日本未審專利申請(qǐng)公開(kāi)N0.平成9(1997)-161330(專利文獻(xiàn)2)描述了一種通過(guò)噴涂將保護(hù)涂層材料涂覆到表面,然后通過(guò)超聲振蕩將涂覆的表面平整化的技術(shù)。日本未審專利申請(qǐng)公開(kāi)N0.平成8(1996...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。