技術編號：10571448
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)電路廣泛用于圖形和處理器應用中以存儲數(shù)據(jù)。DRAM電路包括多個存儲單元，并且每個單元均具有電容器和轉(zhuǎn)移晶體管。電容器存儲二進制數(shù)據(jù)，而轉(zhuǎn)移晶體管保持電荷。在讀取循環(huán)中，轉(zhuǎn)移晶體管通過位線詢問該單元。場效應晶體管通常用作轉(zhuǎn)移晶體管。電容器通常包括由用于提供隔離的例如絕緣材料的阻擋件分隔開的兩個電極。存儲單元可能呈現(xiàn)兩種類型，存儲單元包括形成在轉(zhuǎn)移晶體管下方的襯底中的深溝槽(DT)電容器和具有在轉(zhuǎn)移晶體管上方和之間構建的堆疊電容器...
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