技術(shù)編號：10571480
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 近年來，碳化硅(SiC)憑借其禁帶寬、臨界擊穿電場大、導(dǎo)熱率高等一系列優(yōu)點而 有望取代Si在高功率器件領(lǐng)域獲得重要應(yīng)用。功率器件的擊穿電壓是一個重要指標(biāo)，其主 要受PN結(jié)邊緣電場的集中效應(yīng)的限制，通常會遠(yuǎn)小于器件體材料所預(yù)期的理論值。因此，如 何設(shè)計結(jié)終端結(jié)構(gòu)以盡可能緩解邊緣電場的集中效應(yīng)就成為高擊穿電壓功率器件研發(fā)的 一個關(guān)鍵環(huán)節(jié)。目前已經(jīng)報道了多種SiC器件的邊緣結(jié)終端結(jié)構(gòu)，其中，基于離子注入的結(jié) 終端擴展(JTE)結(jié)構(gòu)由于易于制造與設(shè)計而受到廣泛關(guān)...
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