技術(shù)編號：10572055
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。碳化硅(SIC)MOSFET/IGBT具有高壓高溫特性，隨著近幾年商業(yè)化速度的加快，碳化硅器件越來越受到產(chǎn)業(yè)界的廣泛關(guān)注。SIC M0SFET/IGBT相比傳統(tǒng)硅基器件具有理想的柵極絕緣特性，具有更快的開關(guān)性能，更低的開關(guān)損耗，更高的穩(wěn)定性，更高的耐壓耐高溫特性。SIC M0SFET/IGBT與傳統(tǒng)的硅基M0SFET/IGBT驅(qū)動特性上存在差異，在使用中對其驅(qū)動具有特殊的要求。SIC M0SFET/IGBT推薦的開通電壓為+18V以上從而保證通態(tài)電阻最??；...
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