技術(shù)編號：10577645
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。目前，Si集成電路已發(fā)展到了極大規(guī)模的納米技術(shù)時代，但現(xiàn)有的體Si材料及工藝已達(dá)到其物理極限，無法滿足先進(jìn)的CMOS器件及集成電路對高速、高頻和低壓低功耗的需求。而應(yīng)變Si的電子和空穴迀移率，理論上將分別是體Si的2倍和5倍，可大大提升器件與電路的頻率和速度。然而Si集成電路和應(yīng)變Si集成電路均存在漏電的問題，導(dǎo)致器件和電路性能下降。SOI，即絕緣體上硅，是一種具有“Si/絕緣層/Si”三層結(jié)構(gòu)的新型Si基半導(dǎo)體材料，其與體Si技術(shù)相比，具有功耗低、集成密...
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