技術(shù)編號(hào)：10577663
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 某些電子系統(tǒng)可暴露于逾限應(yīng)變事件，或者具有快速變化的電壓和高功率的相對(duì) 短持續(xù)時(shí)間的電信號(hào)。過應(yīng)力事件可W例如包括靜電放電化SD)事件和/或電磁干擾化MI) 事件。 由于對(duì)IC的相對(duì)小的區(qū)域的過電壓條件和/或高水平的功耗，過應(yīng)力事件會(huì)損壞 電子系統(tǒng)內(nèi)的集成電路(1C)。高功率消耗可W增加集成電路的溫度，并可導(dǎo)致許多問題，諸 如柵極氧化物擊穿、接線損壞、金屬損害和表面電荷積累。而且，過載事件可W誘導(dǎo)円鎖(換 句話說，低阻抗通路的無意建立），從而破壞集成電路...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。