技術(shù)編號：10595807
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。氮化鎵(GaN)作為寬禁帶化合物半導體材料器件，具有輸出功率高、耐高溫的特點。GaN材料的研究與應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料，并與SIC、金剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP化合物半導體材料之后的第三代半導體材料。在第三代半導體氮化鎵(GaN)器件制造領(lǐng)域，界面態(tài)問題是長期困擾業(yè)界的共性問題，是氮化鎵電子器件研制迫切需要解決的難點和瓶頸。為了解決界面態(tài)這一...
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