技術(shù)編號：10595914
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。在發(fā)光二極管(LEDLight Emitting D1de)等半導(dǎo)體發(fā)光元件，要求提高耐受電壓。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的實(shí)施方式提供一種能夠提高耐受電壓的半導(dǎo)體發(fā)光元件。實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件包含基體、第I?第3半導(dǎo)體層、第I導(dǎo)電層及第1、第2絕緣層。所述第I半導(dǎo)體層包含第I導(dǎo)電型區(qū)域。所述第2半導(dǎo)體層設(shè)置在所述第I半導(dǎo)體層與所述基體之間，且為第2導(dǎo)電型。所述第3半導(dǎo)體層設(shè)置在所述第I半導(dǎo)體層與所述第2半導(dǎo)體層之間。所述第I導(dǎo)電層設(shè)置在所述第2半導(dǎo)體層的一部分與...
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