技術(shù)編號：10598173
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 存在對在電路板和其它基板上廉價地加工成形導(dǎo)電電路特征結(jié)構(gòu)的需要。通常使 用高真空技術(shù)，諸如濺射、化學(xué)氣相沉積(CVD)和原子層沉積(ALD)。此類技術(shù)一般能夠?qū)崿F(xiàn) 高質(zhì)量的導(dǎo)體沉積，但趨于遭受低沉積速度、高成本、有限的可擴(kuò)展性、和/或高加工溫度。 授予Yuming Li等人的美國專利申請?zhí)?009/0181183A1涉及穩(wěn)定化金屬納米顆粒 和通過使金屬納米顆粒懸浮液特意去穩(wěn)定化來沉積導(dǎo)電特征結(jié)構(gòu)的方法。然而，存在對此 類金屬納米顆粒懸浮液進(jìn)行改善的需要，...
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